اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی

نویسندگان

رضا ثابت داریانی

r. s. علی نعمتی

a. n.

چکیده

در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° c  مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منحنی(( i-λ به سمت انرژیهای کمتر (طول موجهای بلندتر) جا به جا شد. هدف مقاله استفاده از یک روش آزمایش جدید و ابتکاری برای ناخالص سازی و تاثیر دما بر روی فوتوکانداگتیویته لایه سولفید کادمیم می باشد.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

اثرهای ناخالصی برروی پهنای گاف انرژی، آشکار سازهای نوری (سولفید کادمیم)

سولفید کادمیم یکی از مهمترین نیمرساناهاست ، که در دمای اتاق، گاف انرژی آن 2/42 الکترون ولت می باشد. لایه های پربلورین سولفید کادمیم، برای سلولهای خورشیدی، لیزرها، ابزار نوری، مدارهای مجتمع غیرخطی کاربرد فراوانی دارد. با روشهای تبخیر حرارتی، تبخیر لحظه ای، رسوبگذاری فاز بخار، کندوپاشی فرکانس رادیویی و تبخیر بوسیله لیزر قابل ساخت می باشد. هدف اصلی، ساخت لایه های سولفید کادمیم با شفافیت زیاد، مقاو...

15 صفحه اول

بررسی اثرات پتانسیل‌های ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی

We investigate the effect of dipole-dipole and quadrapole- quadrapole interaction of a weakly interacting Bose gas near the transition temperature on the energy spectra of the thermal and condensate parts. We use the two fluid model and mean field approximation. We show that the effects of the condensate part on the shift of energy is greater than the case of contact potential

متن کامل

نانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی

Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...

متن کامل

بررسی اثرات پتانسیل های ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایران

جلد ۳، شماره ۳، صفحات ۲۴۷-۲۵۳

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023