با استفاده از نظریه جرم مؤثر، ویژه مقادیر انرژی الکترون ها و حفره ها در مکعب کوانتومی محاسبه شده است. در این تقریب ضمن ارائه شکل خاصی برای وابستگی مکانی جرم مؤثر حامل ها، ارتفاع سد پتانسیل نیز محدود در نظر گرفته شده است. با استفاده از داده های موجود برای سیستم های و ویژه مقادیر انرژی محاسبه و با نتایج به دست آمده از روش های نظری دیگرمقایسه شده اند.
با استفاده از نظریه جرم موثر, ویژه مقادیر انرژی الکترونها و حفره ها در سیمهای کوانتومی با سطح مقطع مستطیلی و مربعی محاسبه شده است. در این تقریب ضمن ارائه شکل خاصی برای وابستگی مکانی جرم موثر حاملها, ارتفاع سد پتانسیل نیز محدود در نظر گرفته شده است. با استفاده از داده های موجود بر
با استفاده از نظریه جرم موثر, ویژه مقادیر انرژی الکترونها و حفره ها در سیمهای کوانتومی با سطح مقطع مستطیلی و مربعی محاسبه شده است. در این تقریب ضمن ارائه شکل خاصی برای وابستگی مکانی جرم موثر حاملها, ارتفاع سد پتانسیل نیز محدود در نظر گرفته شده است. با استفاده از داده های موجود بر
در این مقاله، ابتدا یک رابطه تحلیلی برای جرم مؤثر وابسته به مکان برای میله کوانتومی به دست آورده شده است. سپس، تأثیر جرم مؤثر وابسته به مکان بر روی ضریب جذب اپتیکی و تغییرات ضریب شکست در میله کوانتومی بررسی شده است. محاسبات عددی با استفاده از هر دو جرم مؤثر ثابت و جرم مؤثر وابسته
در این مقاله، ابتدا یک رابطه تحلیلی برای جرم مؤثر وابسته به مکان برای میله کوانتومی به دست آورده شده است. سپس، تأثیر جرم مؤثر وابسته به مکان بر روی ضریب جذب اپتیکی و تغییرات ضریب شکست در میله کوانتومی بررسی شده است. محاسبات عددی با استفاده از هر دو جرم مؤثر ثابت و جرم مؤثر وابسته