Article

طراحی و شبیه سازی یک ترانسدیوسر سونار پهن باند و اعتبارسنجی با آزمایش های تجربی

Abstract

دانش مبدل های صوتی پهن باند از فناوری های جدید و مهم در حوزه سونار محسوب می شود که با توجه به برخورداری کشور ایران از منابع آبی دریایی، اهمیت دوچندانی پیدا می کند. در این مقاله پس از مقایسه عملکرد انواع ترانسدیوسرها در این حوزه، یک ترانسدیوسر پهن باند با مشخصات امپدانسی و آکوستیکی معلوم که توانایی ارسال و دریافت امواج را دارد، طراحی، شبیه سازی، ساخته و تست شده است. در ابتدا، ابعاد کلی یک ترانسدیوسر پهن باند به کمک مدل سازی پارامتر متمرکز و مدار معادل الکتریکی تقریب زده شده و سپس با افزایش درجات آزادی مدل های تحلیلی، مشخصات تمام اجزای ترانسدیوسر در یک حالت بهینه برای داشتن پهنای باند بالا به دست آمده است. مدل طراحی شده، به کمک نرم افزار المان محدود کامسول مولتی فیزیک به صورت سه بعدی شبیه سازی شده تا در ضمن مقایسه با روش طراحی تحلیلی، حل دقیق تری صورت گرفته باشد. سرانجام ترانسدیوسر مذکور ساخته و تست شده است تا داده های تئوری به دست آمده با نتایج تجربی اعتبار سنجی شوند. نتایج حاصل از آزمایش های تجربی نشان می دهد که شبیه سازی انجام شده در نرم افزار کامسول مولتی فیزیک، با دقت مناسبی توانسته است فرکانس رزونانس و بیشترین پاسخ ولتاژ ارسالی ترانسدیوسر پهن باند مورد نظر را پیش بینی کند. خطای مدل سازی سه بعدی انجام شده در پیش بینی فرکانس رزونانس و بیشترین پاسخ ولتاژ ارسالی، به ترتیب 3.8% و 5.7% است. استفاده از روش های پارامتر متمرکز و مدار معادل الکتریکی هرچند تقریب اولیه ای برای ابعاد ترانسدیوسر به دست می دهد ولی در تعیین فرکانس رزونانس و محل رخ دادن بیشترین پاسخ ولتاژ ارسالی درصد خطای بیشتری نسبت به شبیه سازی المان محدود دارد.

Similar items

  • طراحی و شبیه‌سازی یک ترانسدیوسر سونار پهن‌باند و اعتبارسنجی با آزمایش‌های تجربی

    Article2016مهندسی مکانیک مدرسامین یوسفی، محمد مهدی ابوترابی

    دانش مبدل‌های صوتی پهن‌باند از فناوری‌های جدید و مهم در حوزه سونار محسوب می‌شود که با توجه به برخورداری کشور ایران از منابع آبی دریایی، اهمیت دوچندانی پیدا می‌کند. در این مقاله پس از مقایسه عملکرد انواع ترانسدیوسرها در این حوزه، یک ترانسدیوسر پهن‌باند با مشخصات امپدانسی و آکوستیک

  • طراحی، شبیه سازی و ساخت آنتن شیپوری پهن باند مبتنی بر تکنولوژی SIW

    Article2021مهندسی برق و الکترونیک ایرانشکیبا پالودی، نادر کمجانی، مصطفی خنجریان

    در این مقاله، یک آنتن شیپوری پهن باند مبتنی بر فناوری موجبر مجتمع شده در زیرلایه (SIW1) با اندازه ای کوچک (3.38λ0*2.65λ0*0.14λ0) طراحی شده، که با استفاده از ساختار موجبر هم صفحه دارای زمین (GCPW2) تغذیه شده است. آنتن پیشنهادی با استفاده از دو لایه Rogers 6002 با ضخامت یکسان 1.524

  • طراحی، شبیه سازی و ساخت آنتن آرایهای ریزنوار با قطبش دایروی در باندS

    Article2015الکترو مغناطیس کاربردیسید حسین محسنی ارمکی

    چکیده: در این مقاله ، طراحی ، شبیه سازی و ساخت یک آرایه آنتن با قطبشدایروی در باند s مورد بحث و بررسی قرار میگیرد. ویژگی آرایه طراحی شده، افزایش پهنای باند امپدانسی و نسبت محوری با استفاده از ساختار گردشی ترتیبی عناصر است. ساختار مذکور علاوه بر مزیت فوق باعث کاهش تزویج متقابل بین

  • طراحی، شبیه سازی و ساخت آنتن آرایهای ریزنوار با قطبش دایروی در باندS

    Article2014الكترومغناطيس كاربرديیعقوب حقیان، سیدحسین محسنی ارمکی، مرتضی کازرونی، مرتضی کازرونی

    چکیده: در این مقاله ، طراحی ، شبیه سازی و ساخت یک آرایه آنتن با قطبشدایروی در باند s مورد بحث و بررسی قرار میگیرد. ویژگی آرایه طراحی شده، افزایش پهنای باند امپدانسی و نسبت محوری با استفاده از ساختار گردشی ترتیبی عناصر است. ساختار مذکور علاوه بر مزیت فوق باعث کاهش تزویج متقابل بین

  • طراحی و شبیه سازی ماتریس باتلر میکرواستریپی باند X برای تغذیه آنتن آرایه فازی با پهنای پرتو باریک

    Article2023الكترومغناطيس كاربرديحامد معظمی گودرزی، علیرضا دولت آبادی

    سامانه های پروازی متعددی با کاربردهای گسترده در زمینه های مختلف علمی، صنعتی، و تجاری وجود دارند. یکی از بخشهای مورد استفاده در این ساختارها، رادار است. بسیاری از کاربردهای این سامانه ها، نیازمند ردگیری اهداف یا جهات در محدوده زاویه ای باریک است. این ویژگی با به کارگیری آنتنهایی د

  • طراحی، شبیه سازی عددی و آزمایش یک انژکتور گریز از مرکز با ورودی های مماسی

    Article2014سوخت و احتراقسید مصطفی حسینعلی پور، حدیثه کریمائی، فتح اله امی

    در این مقاله، روش طراحی و محاسبات یک انژکتور گریز از مرکز جریان مماسی با فرض یک سری معلومات ارائه شده است.این انژکتور براساس روش مذکور، به گونهای طراحی شده است که یک زاویه پاشش باز و ضخامت لایه خیلی کم به دست می دهد که برای محدودیت طول محفظه مناسب بوده و پودرسازی ریزتری به دست می