بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک zno
Abstract
در این مقاله لایه نازک zno به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚c 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚c 500 پخت شده اند. اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای نشان می دهد که مقاومت الکتریکی لایه های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر krf ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1hz و انرژی 90mj/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می شود. طیف پراش پرتو ایکس ( xrd ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تأیید می کند، و آنالیز afm و fe-sem شکل گیری منظم و دایروی دانه ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از 10nm ~ به 30nm ~ افزایش پیدا می کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ای بهبود می یابد.