مقاومت الکتریکی ناشی از دیواره های مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی خارجی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا
Abstract
چکیده ندارد.
چکیده ندارد.
با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی ترکیب شده با تکنیک لوپز سانچو، به تحلیل و بررسی ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانونوار زیگزاگ فسفرینZPNR تک لایه در رژیم بالستیک پرداخته شده است. مطالعات نشان میدهد که رسانش اسپینی میتواند توسط یک میدان الکتریکی خارجی قابل کنترل که از ط
نانوکامپوزیتهای پلی اتیلن اکسید مغناطیسیPEO/Fe3O4 به روش همرسوبی در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی 0.4 تسلا سنتز شد و اثر میدان مغناطیسی خارجی در سنتز نمونه مورد بررسی قرار گرفت. نانوکامپوزیت های سنتز شده در حضور میدان به کمک آنالیزهای VSM، XRD وSEM مشخصه یابی شده است. نتایج آنال
چینش و همآرایی کنترلشده نانوسیمها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یکبعدی با استفاده از روشهای مختلفی مانند دستکارینوری، میکروسیالات، میدانهای الکتریکی و مغناطیسی انجامشدهاست.
در سال های اخیر برهمکنش پالس های لیزری فوق کوتاه با هدف جامد به دلیل کاربردهایی که در طرح همجوشی محصورشدگی لختی دارد، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در همجوشی محصورسازی لختی به روش لیزری به منظور مشتعل کردن سوخت ، باید ناحیه مرکزی تحت عنوان لکه داغ تا حد ممکن برای بیشینه کردن اث
در سال های اخیر برهمکنش پالس های لیزری فوق کوتاه با هدف جامد به دلیل کاربردهایی که در طرح همجوشی محصورشدگی لختی دارد، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در همجوشی محصورسازی لختی به روش لیزری به منظور مشتعل کردن سوخت ، باید ناحیه مرکزی تحت عنوان لکه داغ تا حد ممکن برای بیشینه کردن اث
چکیده ندارد.