ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست خواهیم آورد.
برهمکنش اسپین- مدار راشبا ناشی از نبود تقارن وارونی ساختاری پتانسیل محدود کننده ی الکترونها درسیستمهایی مانند دیواره های کوانتومی یا چاههای کوانتومی ناشی می شود. اهمیت برهمکنش راشبا در این است که برخلاف اثر اسپین- مدار درسلهاوس یک اثر ذاتی و معین است و می توان به وسیله ی ولتاژ گی
ساختارهای گرافین تک لایه از جمله ساختارهایی می باشند که عرضی در حد یک اتم دارا هستند و در این ضخامت و حتی در ضخامت هایی بالاتر از این حد بردار موج الکترونی در این راستا کاملا کوانتیزه بوده و بررسی دقیق این گونه از سیستم ها فقط در چارچوب مکانیک کوانتومی امکان پذیر می باشد