Thesis

گاز الکترونی دو بعدی در فضای خمیده

Abstract

بررسی گاز الکترونی دو بعدی در فضای تخت، تحت تاثیر میدان مغناطیسی یکی از پدیده های جالب در فیزیک ماده چگال می باشد. دینامیک گاز الکترونی آزاد تحت تاثیر میدان مغناطیسی در دیدگاه کلاسیکی یک حرکت سیکلوترونی است. در تصویر کوانتومی، کوانتش حرکت الکترون در جهت عمود بر میدان مغناطسیی و تبدیل انرژی جنبشی گاز الکترونی آزاد باردار از حالت پیوسته به گسسته متناظر با ترازهای لانداوئو است. بررسی این ترازها کاربرد مهمی روی خواص فیزیکی گاز الکترونی و پذیرفتاری مغناطیسی اوربیتالی دارد. همچنین در فصل مشترک های نیمرسانای سیستم الکترونی به دلیل طبیعت دو بعدی شان خواص اپتیکی و ترابردی منحصر به فردی پیدا می شود. بنابراین مطالعه گاز الکترونی دو بعدی در فضای تخت از دیدگاه تجربی و تئوری مورد توجه است. گاز الکترونی دو بعدی در مختصات استوانه ای (فضای خمیده) از خواص الکتریکی و مکانیکی ویژه ای برخوردار است. در اینجا گاز الکترونی آزاد در فضای خمیده تحت تاثیر میدان مغناطیسی مطالعه کرده ایم. با تعیین معادله پاشندگی، شکل ترازهای لانداوئو در فضای خمیده در مقایسه با فضای تخت بررسی می شود. از نقطه نظر کوانتومی بررسی حرکت یک ذره مقید روی سطح خمیده منجر به پیدایش پتانسسیل سطحی می شود که این پتانسیل ذره را مجبور می کند تا در فاصله بی نهایت نزدیک از همسایگی c (روی سطح) حرکت کند. این پتانسیل مشابهت کلاسیکی ندارد. با اعمال این پتانسیل به گاز الکترونی دو بعدی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی، روی یک سطح خمیده قرار دارد، رابطه پاشندگی به صورت تابعی از شعاع خمیدگی بدست می آید. نتایج بدست آمده از این سطح خمیده با نتایج مربوط به سطخ تخت مقایسه می شود.

Supervisors and advisors

حسن پهلوانی

Similar items

  • بررسی آماری گاز الکترونی دو بعدی در تقریب توماس-فرمی

    Article2016پژوهش سیستم های بس ذره ایحسین محمدزاده، مرتضی نطاق نجفی نطاق نجفی

    در این مقاله ما گاز الکترونی دو بعدی را در نظر میگیریم. برای بررسی این سیستم، ابتدا طول همدوسی الکترونی سیستم را در نظر گرفته و سیستم را متشکل از تعداد زیادی سلول با ابعاد خطی این طول در نظر میگیریم. در داخل این سلولها یک گاز الکترونی کوانتومی با برهمکنش داریم و خارج از آن سیستم

  • بررسی آماری گاز الکترونی دو بعدی در تقریب توماس-فرمی

    Articleپژوهش سیستم های بس ذره ایمرتضی نطاق نجفی نطاق نجفی، هیئت علمی حسین محمدزاده، هیئت علمی دانشگاه

    در این مقاله ما گاز الکترونی دو بعدی را در نظر میگیریم. برای بررسی این سیستم، ابتدا طول همدوسی الکترونی سیستم را در نظر گرفته و سیستم را متشکل از تعداد زیادی سلول با ابعاد خطی این طول در نظر میگیریم. در داخل این سلولها یک گاز الکترونی کوانتومی با برهمکنش داریم و خارج از آن سیستم

  • محاسبه انرژی کازمیر با منظم سازی کم کردن جعبه ها در فضای خمیده

    Article2014مهندسی مکانیک و ارتعاشاتمددعلی ولوئیان

    در این مقاله انرژی کازمیر مربوط به میدان اسکالر جرم دار روی یک سطح کره با شرط مرزی نوسانی و با استفاده از روش منظم سازی کم کردن جعبه ها محاسبه شده است. محاسبه این انرژی در دیگر مقالات گذشته با کم کردن انرژی نقطه صفرِ فضای مینکوفسکی از انرژی نقطه صفری که با در نظر گرفتن شرط مرزی م

  • محاسبه انرژی کازمیر با منظم سازی کم کردن جعبه ها در فضای خمیده

    Articleمهندسی مکانیک و ارتعاشاتمددعلی ولوئیان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان - عضو هیات علمی

    در این مقاله انرژی کازمیر مربوط به میدان اسکالر جرم دار روی یک سطح کره با شرط مرزی نوسانی و با استفاده از روش منظم سازی کم کردن جعبه ها محاسبه شده است. محاسبه این انرژی در دیگر مقالات گذشته با کم کردن انرژی نقطه صفرِ فضای مینکوفسکی از انرژی نقطه صفری که با در نظر گرفتن شرط مرزی م

  • استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم‌های InAs و ZnO در محیط دی‌الکتریک

    Article2016پژوهش سیستم های بس ذره ایبهاره شایقی، قاسم انصاری پور

    در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs وZnO پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت د

  • استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم های inas و zno در محیط دی الکتریک

    Articleپژوهش سیستم های بس ذره ایقاسم انصاری پور، گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدان بهاره شایقی، department of physics, yazd university

    در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas وzno پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی