رشد نانوسیم های sno2 به روش تبخیر حرارتی و بررسی خواص ساختاری و اپتیکی آن ها
Abstract
با توجه به پتانسیل کاربردی نانوساختارهای sno2 در ساخت حسگرهای گازی، سلول¬های خورشیدی، الکترودهای رسانش شفاف و وسایل اپتوالکترونیک این موضوع انتخاب شد. در این تحقیق، نانوسیم¬های دی¬اکسید قلع به¬روش تبخیر حرارتی، بر روی زیرلایه¬ی سیلیکون تهیه شده¬اند و هم¬چنین اثر پارامترهای مختلف رشد در فرآیند تبخیر حرارتی از قبیل دمای زیرلایه، زمان پخت، دمای واکنش و میزان شار گاز نیتروژن بر اندازه، ساختار و ریخت¬شناسی نانوساختارهای sno2 بررسی گردیده است. بدین منظور مخلوطی از پودرهای دی¬اکسید قلع و دوده¬ی کربن با نسبت وزنی 1:4 به¬عنوان پیش¬ماده درون یک بوته آلومینایی که در داخل یک شیشه¬ی کوارتز قرار داشته بود، در مرکز کوره¬ی استوانه¬ای گذاشته شد. سپس در یک دما، زمان و میزان شارش مشخصی نانوساختارهای sno2 به¬دست آمدند. به¬منظور بررسی ویژگی¬های ساختاری و نوری محصولات، الگوی پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و طیف¬سنجی pl به¬کار برده شد. نتایج حاصل از تحلیل xrd و تصاویر sem نشان دادند که نانوسیم¬های تهیه شده در دمای زیرلایه oc850-800، شارش گاز نیتروژن sccm50، دمای واکنش oc1100 و زمان پخت 2 ساعت، بهترین ویژگی¬های ساختاری را دارا بودند و هم¬چنین از طیف pl، گاف¬ نوری نمونه¬ها برای نانوساختارهای sno2، تقریباً ثابت و در محدوده¬ی ev 6/3 تعیین گردید.