پذیرفتاری مغناطیسی قرص ابررسانای حامل جریان انتقالی واقع در میدان مغناطیسی عمودی
Abstract
در این پایان¬نامه خواص مغناطیسی یک قرص ابررسانای نوع دوم حامل جریان انتقالی شعاعی ، واقع در میدان مغناطیسی متناوب عمود بر سطح آن مورد بررسی قرار گرفته است. برای این مطالعه، مدل حالت بحرانی (csm) ابزار مورد استفاده ما بوده است. مدل¬هایی که در این پایان¬نامه مورد استفاده قرار گرفته ، مدل bean ، kim و مدل نمایی بوده است.در مدل bean که چگالی جریان بحرانی مستقل از میدان موضعی فرض می¬شود مغناطش ، حلقه¬های پسماند مغناطیسی و پذیرفتاری مختلط ac مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات ما در مدل bean نشان می¬دهند که: هنگامی که قرص نازک ابررسانای فاقد جریان انتقالی شعاعی در میدان مغناطیسی قوی عمود بر سطح آن قرار بگیرد، شار میدان مغناطیسی به همه قسمت¬های قرص نفوذ می¬کند، آنگاه با حذف میدان اعمالی و همزمان با آن تزریق جریان انتقالی شعاعی باعث خروج بخشی از گردابه¬های شار درون قرص و مقاومتی شدن ناحیه مرکزی قرص می¬شود. از سوی دیگر چنانچه به قرص حامل جریان انتقالی که هیچ گردابه¬ای در ابتدا درون آن نیست، یک میدان مغناطیسی عمود برسطحش اعمال شود، گردابه¬ها با افزایش تدریجی میدان مغناطیسی اعمالی به درون قرص نفوذ می¬کنند. گردابه¬ها تا جایی پیش می¬روند که نیروی لورنتسی با نیروی میخ¬کوبی یکی می¬شود . با افزایش بیشتر میدان مغناطیسی اعمالی گردابه¬ها به شعاعی می¬رسند که نیروی لورنتسی از نیروی میخ¬کوبی بیشتر می¬شود. این امر باعث می-شود گردابه¬ها به صورت ناگهانی به سمت مرکز قرص هجوم ببرند، پس از اتمام مرحله به اصطلاح مرحله دوم که مرحله¬ای گذراست مرکز قرص مقاومتی می¬شود. از این پس با افزایش میدان مغناطیسی اعمالی تراکم شبکه گردابه¬ها بیشتر می¬شود.علاوه بر مدل یاد شده خواص مغناطیسی یک ابررسانا با استفاده از مدل¬های kim و نمایی نیز مورد بررسی قرارگرفته است.مهمترین اختلاف مدل¬های kim و نمایی با نتایج حاصل از به کار گیری مدل bean در تعداد مراحل نفوذ شار به درون قرص است. محاسبات ما نشان می-دهند که نفوذ شار به درون قرص می¬تواند در سه مرحله و یا در یک مرحله صورت بگیرد.