محمود ذوالفقاری
Theses
تاثیر نقطه کوانتمی بر مدهای یک نانوکاواک بلور فوتونیک
در سال 1944 پارسل (purcell) دریافت که جایگزیدگی فوتون در حجم کوچک، منجر به اصلاح فرآیندهای تابشی می شود.با پیشرفت های بعدی در تکنولوژی تولید ساختارهای ماکرو و نانو اندازه،امکان استفادهاز این مواد برای جایگزیدگی فوتون در فرکانس های اپتیکی به وجود آمد. نیاز روزافزون به ساخت سامانه
بررسی آثر آلائیدگی mn بر نیمرسانای zno
در این پایان نامه به بررسی اثر آلائیدگی منگنز بر نیمرسانای اکسید روی پرداخته شده است. ابتدا نانوذرات اکسید روی آلائیده شده با منگنز به روش همرسوبی تهیه شده اند. سپس نمونه های بالک اکسید روی آلائیده شده با منگنز و نمونه های بالک خالص اکسید روی به روش واکنش حالت جامد تهیه شده اند.
بررسی اثر تغییر درصد آلائیدگی fe روی نانوساختار zno
اکسید روی یک نیمرسانای با شکاف نواری پهن (ev37/3) است که در ابزارهای الکترواپتیکی ولتاژ پایین و طول موج کوتاه از قبیل دیودهای نورده و لیزرها کاربرد دارد. آلائیده کردن نیمرساناها با برخی عناصر یک شیوه موثر تعدیل خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختاری و مغناطیسی است که برای کاربردهای عملی
مطالعه اثر فشار بر نانو ذرات اکسید روی آلاییده شده با منگنز
اکسیدروی یک ماده نیمرسانا با شکاف نواری پهن(e_g~3.22 ev) است که کاربردهای فراوانی در ساخت ابزارهای الکترونیکی، اپتوالکترونیکی و اسپینترونیکی دارد. با افزودن ناخالصی هایی مثل فلزات واسطه می توان به آن خواص مغناطیسی بخشید و قابلیت استفاده از آن را افزایش داد. در این پژوهش نانوذرات
تعیین مدهای یک کاواک l3 به روش تفاضل محدود در حوزه زمان (fdtd)
بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی د
بررسی رامان نانوذرات توپی اکسید روی آلائیده شده با منگنز
اکسید روی یک نیمرسانا با شکاف انرژی در حدود 37/3 الکترون ولت است که در سال های اخیر به خاطر کاربردهای بسیار نانوساختارهایش در زمینه های مختلف الکترونیکی، اپتیکی، مغناطیسی و غیره، مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته است. با افزودن مقدار کمی از ناخالصی هایی مانند فلزات واسطه می توان ب
تهیه ی نانو صفحات گرافن و بررسی خواص الکتریکی آن
گرافن یک تک صفحه ی دو بعدی از اتم های کربن با ساختاری مشابه لایه های مجزای گرافیت است که ساختار شبکه ی آن شش ضلعی است. در این صفحات اتم های کربن با پیوند sp2 به یکدیگر متصل شده اند. در گرافن هر اتم کربن به سه اتم کربن دیگر متصل شده است که این سه پیوند در یک صفحه قرار دارند و زاوی
بررسی انواع شیوه های نفوذ ناخالصی ها در نیمه رسانای si و راه اندازی کوره دیفیوژن
چکیده ندارد.
ساخت یک تمام جمع کننده و شبیه سازی کامپیوتری آن در یک تمام جمع کننده چهاربیتی
چکیده ندارد.