نانوسیم¬های کبالت-نیکل یکی از مهم ترین آلیاژهای دوتایی فرومغناطیس با خاصیت¬های مقاومت مکانیکی و پوششی بسیار بالا، مقاوم در برابر خوردگی و الکتروکاتالیزی می¬باشد. مزیت آلیاژهای کبالت-نیکل در وابستگی خواص مغناطیسی به درصد کبالت در ترکیب آن¬ها می¬باشد. در این پژوهش نانوسیم¬های کبالت-نیکل با شرایط نهشت مختلف ساخته شدند و خواص مغناطیسی و ساختاری آن¬ها، با استفاده از آنالیزهای xrf، sem، afm، tem، xrd...

در این پایان نامه به بررسی خواص اپتیکی و الکترونی نانوساختارهای نیمرسانا در شرایط مختلف می پردازیم. در این بین از خواص اپتیکی، ضریب جذب اپتیکی و فرکانس جذب آستانه برای یک نقطه کوانتومی استوانه ای، یک نقطه کوانتومی کروی ناهمسانگرد، یک جعبه کوانتومی و یک حلقه کوانتومی در حضور میدان مغناطیسی خارجی به طور تحلیلی مورد بررسی قرار گرفته است. از خواص الکترونی نیز، پذیرفتاری مغناطیسی را برای یک نقطه کوا...

تعداد نوترون های گسیلی از هسته مرکب قبل از نقطه زینی ( pre ν ) در چهار سیستم شکافت القایی با یون های سنگین 16 8 o+20882pb ، 12 6 c+23692u ، 11 5 b+23793np و 18 8 o+19779au محاسبه شده است. برای دو سیستم 16 8 o+20882pb و 18 8 o+19779au به دلیل کروی بودن هسته های هدف 197 79 au و 208 82 pb و شکافت القایی با پرتابه هایی با عدد جرمی کوچکتر از 20 ، انتظار می رود که ناهمسانگردی زاویه ای پاره های شکافت ...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلور cdte در دو فاز مکعبی و هگزاگونال و بلور cds در فاز هگزاگونال با استفاده از اصول اولیه و روش تابعی چگالی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده یک گاف نواری مستقیم در امتداد در منطقه اول بریلوئن به اندازه ev 6/0 برای فاز مکعبی بلور cdte وev 8/0 برای فاز هگزاگونال بلور cdte وev 2/1 برای هگزاگونال بلور cds را نشان می دهد. در فاز مکعبی بلور cdte مشاهده می شود ...

در این پژوهش، ناهمسانگردی مغناطیسی سیم  کبالت پایه­ی  مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور از مغناطیس سنج ارتعاشی برداری (vvsm) استفاده شد که می­تواند مؤلفه­های مغناطش در راستای طولی و عرضی را همزمان اندازه گیری کند. میدان مغناطیسی با زوایای مختلف نسبت به محور سیم اعمال شد و مغناطش، همزمان در دو راستای x و y اندازه گیری شد. با افزایش زاویه­ی اعمال میدان و راستای سیم، مؤلفه­ی مغناطش در راست...

در این رساله، هدف بررسی ساز و کار، اندرکنش تبادلی غیرمستقیم بلندبرد بین یونی، ، (در مدل rkky) و اندرکنش همبستگی بین یون ـ الکترون (در مدل kondo) در یک ساختار مغناطیسی است که بیانگر تأثیر متقابل دو دستگاه الکترونی کاملاً مجزا (کاملاً جایگزیده و کاملاً آزاد) می باشد. تنها دستگاهی که در آن اثر میدان بلوری (l=0) قابل صرفنظر کردن بوده و امکان هیبریدشدگی وجود نداشته باشد تا از این رهگذر بتوان به صورت خا...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...