در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

اتصال چرخشی یکی از روشهای تولید لوله های دولایه، بر مبنای فرآیند فلوفرمینگ، می باشد. این روش جدید دارای پتانسیل بالایی در تولید لوله های دوفلزی جدار نازک و بدون درز است. با استفاده از این روش، آلومینیم (به عنوان لایه ی داخلی یا لایه ی روکش)، و فولاد (به عنوان لایه ی خارجی)، با موفقیت اتصال داده شد و لوله های کامپوزیتی لایه ای تولید شدند. به عنوان پارامترهای مهم برای ایجاد یک اتصال مناسب، اثر پا...

لایه­ نازک کربن شبه الماسی به علت خاصیت ضد بازتابی که دارند به منظور افزایش بازدهی سلول­های خورشیدی استفاده می­گردد. در این تحقیق نانو فیلم کربن شبه الماسی با ضخامت 80 نانومتر بر سلول خورشیدی سیلیکونی نوع P به روش رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده با پلاسما (PECVD) از مخلوط گازهای هیدروژن و متان لایه نشانی شد. خواص اپتیکی پوشش به وسیله دستگاه بیضی سنجی وUV-VIS-NIR Recording Spectro Photometer ...

در این تحقیق، اثرات بار ضربه¬ای با جرم کوچک و سرعت پایین روی یک ورق کامپوزیتی لایه¬ای با تکیه¬¬گاه تمام گیردار با بهره¬گیری از چند جمله¬ای¬های جبری مناسب و روش تابع وزنی گالرکین مطالعه شده است. از تئوری مرتبه اول تغییر شکل برشی، معادلات حاکم بر ورق کامپوزیتی و روابط مناسب برای میدان جابجایی ورق استفاده گردید. رفتار متقابل بین ضربه¬زننده و ورق¬ کامپوزیتی به کمک یک سیستم دو درجه آزادی جرم- فنر مد...

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک TiO2 و ZrO2 بر روی زیر لایه BK7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  UV-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر AFM از لایه های نازک TiO2و ZrO2 تهیه شده است. اندازه‌گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا TIS و روش AFM انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...

اکسید-دوتائی sio2-tio2 دارای ویژگی ها و خواص مناسبی است که باعث شده تا این ماده کاربردهای مختلفی در صنعت داشته باشد. از جمله کاربردهای این اکسید دوتائی می توان به کاربرد آن در زمینه های مختلف مانند صنایع اپتیکی، ساخت موجبرهای اپتیکی، حسگرها و سلول های خورشیدی اشاره کرد. به همین علت تحقیقات متعددی در دهه های اخیر در مورد خواص و روش های ساخت لایه نازک آن صورت گرفته است. در این پایان نامه، ابتدا...

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دما...

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...