در این تحقیق از هامیلتونی مؤثر و مدل کوارک استفاده شده است. با استفاده از آنها آهنگ واپاشی های ماده- پاد ماده کوارک b مورد بررسی قرار گرفته است. تئوری هامیلتونی موثر شرح و از آن برای محاسبه آهنگ واپاشی های عملگرهای جریان- جریان (q1,2)، پنگوئن qcd (q3,…,6)، دو قطبی مغناطیسی (q8) و پنگوئن الکتروضعیف (q7,…,10) استفاده شده است. ساختار پنگوئن گلئونی هادرونی واپاشی های کوارک b، b→qkg→qkqiqj، به واسطه...

چکیده ندارد.

خطاهای فاصله گذاری الکترودی و خطاهای مرتبط با بزرگی پتانسیل در اندازه گیری های مقاومت ویژه دو فاکتور اصلی و مهم هستند که بر کیفیت داده ها در تصویربرداری مقاومت ویژه اثر می گذارند. خطای فاصله گذاری الکترودی از لحاظ تحلیلی با فاکتور ژئومتری ارزیابی می شود. در این تحقیق منحنی های مربوط به خطاهای درون خطی و برون خطی مورد بررسی قرار گرفته است. بدین منظور در این تحقیق از رابطه فاکتور ژئومتری که توسط ...

بیماری فار، کلسیفیکاسیون ایدیوپاتیک و پیش رونده عقده های قاعده ای همراه با متابولیزم طبیعی کلسیم و فسفر است که با علایم حرکتی و روانی تظاهر می کند. دمانس، کره آتتوز، روان پریشی و افسردگی در این بیماری نسبتا شایع گزارش شده ولی فار با تابلوی اختلال خلقی دوقطبی نادر است به طوری که در مروری بر متون تنها سه مورد گزارش شده بود.بیماری که در این گزارش معرفی می شود خانم 21 ساله ای است که به دلیل پرخاشگر...

cp وجود گشتاور دوقطبی الکتریکی باعث نقض تقارن cp در یک دستگاه فیزیکی می شود. در حد غیر نسبیتی و اندازه نقطه ای برای هسته، اثر گشتاور دوقطبی الکتریکی در اتم قابل مشاهده نیست. این اثر به استتار شیف معروف است. دلیل استتار شیف این است که جابه جایی انرژی ناشی از گشتاور دوقطبی الکتریکی متناسب با مقدار انتظاری ماتریس است و از آنجایی که این ماتریس فرد است، یعنی جواب های انرژی مثبت و منفی را با هم ترکیب...

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

مقدمه: هدف از پژوهش حاضر بررسی نظریه ذهن و کنش های اجرایی در بیماران مبتلا به اختلال های وسواسی -جبری ، دو قطبی، اسکیزوفرنی و افراد بهنجار بود. روش: طرح پژوهش حاضر از نوع علّی -مقایسه ای و نمونه آماری شامل 80 آزمودنی بود که از طریق نمونه گیری در دسترس و در4 گروه وسواسی -جبری (20نفر)، اسکیزوفرنی (20 نفر)، دوقطبی (20 نفر) و افراد بهنجار(20 نفر) انتخاب شدند. آزمودنی ها با استفاده از آزمون های باور ...