پسماندهای الکترونیکی و الکتریکی انواعی از پسماندهای ویژه می‌باشند که قطعات اصلی آن‌ها شامل خازن، ترانزیستور، آی.سی، مدارات الکترونیکی، قطعات کاتدی و آندی بوده و دارای خاصیت سمیت، بیماری‌زایی و پایایی در محیط پیرامون و حتی در پیکره جانداران، خورندگی تاسیسات و تجهیزات و مشابه آن می‌باشند.بر این اساس، هدف از این تحقیق بررسی و شناسایی عوامل موثر در آزادسازی این فلزات و اختصاصاً عنصر کادمیوم در محیط ...

ساختمان های چند طبقه بتن آرمه بطور فزاینده ای در سراسر جهان ساخته شده اند. اجزای اصلی یک سیستم تونلی دیوار برشی و دال تخت (نسبتا نازکتر نسبت به ساختمانهای بتن آرمه سنتی) می باشد. دیوار برشی در ساختمان های تونلی به عنوان عامل مقاوم در برابر بار جانبی اولیه و عضو حامل بار عمودی به علت عدم وجود تیرها و ستون ها استفاده می شود. سیستم موسوم به تونلی یکی از روش های مورد استفاده برای اجرای ساختمان های ...

بطور خلاصه در این پایان نامه به مطالعه رسانش تونلی وابسته به دما در بایاس صفر در اتصالی خواهیم پرداخت که میان یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج-d واقع شده است، اهداف ما عبارتند از محاسبه ضرایب بازتاب نرمال و آندریف در اتصال، محاسبه رسانش تونلی در دمای صفر و نهایتا محاسبه رسانش بایاس صفر بر حسب دما می باشد. برای این کار از نظریه پراکندگی btk بهره می گیریم، روش اجرا به این صورت است که ابتدا با...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل‌ ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...

در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهر...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

کاربرد وسیع جریان های احتراقی آشفته در صنعت، سبب شده تا شبیه سازی شعله های آشفته همواره مورد توجه محققین باشد. مدل اتلاف گردابه ای (مگنسن) بر مبنای آشفتگی جریان و میزان اختلاط سوخت و هوا بوده و اثر دما و جنبشهای شیمیایی در آن لحاظ نگردیده است. به همین دلیل این مدل، برای پیش بینی گونه های واسطه در واکنش های چند مرحله ای مناسب نمی باشد. شبیه سازی احتراق آشفته نیاز به مدل سازی جامعتری دارد. از طرف...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...