عملیات خشک کردن یکی از مهمترین عملیاتهای صنایع شیمیایی می باشد. مدلسازی ریاضی فرایند خشک کردن هم برای طراحی ابعادی دستگاه و هم برای شبیه سازی فرایندهایی که اغلب برای کنترل و اتوماسیون یک فرایند صنعتی ضروری است ، مفید می باشد. برای این کار ممکن است از عبارات تحلیلی ساده همراه با داده های آزمایشگاهی استفاده شود و یا ممکن است عملیات توسط یک سیستم معادلات دیفرانسیلی شامل معادلات حرکت ، موازنه ها و ...

در سرریزهای تونلی که جریان با سرعت بالا و اغلب تحت فشار برقرار می باشد، به دلیل زبری جداره بتنی سرریز و وجود درزها و انحنا در مسیر تونل احتمال جدایش جریان از جداره افزایش یافته و در نتیجه وقوع پدیده کاویتاسیون و تخریبات ناشی از آن محتمل می باشد. هوادهی جریان را یکی از موثرترین روش ها جهت پیشگیری از این پدیده بیان نموده اند. در این تحقیق جریان عبوری از روی رمپ تعبیه شده در کف داکت تحت فشار ب...

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

در حال حاضر تحقیقات وسیعی روی استفاده از مولکول های آلی به عنوان قطعات الکترونیکی و اسپینترونیک مولکولی در حال انجام است. در اسپنترونیک مولکولی از مولکول های آلی به خاطر ساختار قابل کنترلشان، ارزان بودن، انعطاف پذیربودن و همچنین طول همدوسی اسپینی بزرگی که نسبت به فلزات و نیم رسانا های رایج دارند، به عنوان کانال مولکولی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پژوهش ابتدا، خواص ساختاری و الکترونی الیگو...

در سالهای اخیر مواد نیتریدی کاربردهای بسیار ارزنده ای در صنعت الکترونیک? اپتوالکترونیک?صنایع نظامی و... پیدا کرده اند. از این میان? ساختارهای نامتجانس نیتریدی بخصوص بسیار مورد توجه بوده اند. از خواص مواد نیتریدی بخصوص که چاه های کوانتومی آنها مورد توجه در این پایان نامه می باشد، می توان به بزرگ بودن و مستقیم بودن گاف انرژی ?رسانندگی حرارتی خوب و سرعت اشباع الکترونی بالا اشاره کرد که این خواص با...

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و ا...

همواره در تقویت کننده توان کلاس-‏e‏ با توپولوژی خازن موازی، اثرات خازن های خطی و غیر خطی ذاتی عنصر ‏سویچینگ به منظور مدلسازی مدار در شرایط سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvs)‎‏ و تغییرات سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvds)‎‏ مورد توجه ‏قرار می گیرد. در این شرایط، دوره کاری ترانزیستور نه تنها به عنوان یک متغیر طراحی بلکه به عنوان یک پارامتر قابل تغییر به ‏منظور دستیابی به شرایط مشخص و خاصی از عملکرد مدار مورد توجه قرا...

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در ...

چکیده ندارد.