در این پژوهش سعی شده است تا کارایی افزاره ترانزیستور اثر میدانی (fet ) در تماس با بیومارکرهای سرطانی و تشخیص آنها مورد بررسی قرار گیرد. لذا با مدل سازی کانال نانولوله کربنی در نرم افزار virtual nanolab ضمن بررسی تأثیر آنتی ژن ها و آنتی بادی انواع سرطان ها بر ویژگی های ساختار شیمیایی والکترونیکی کانال، تغییرات مقادیر خازنی کانال و پارامترهای کنترل گیت و درین را بدست می آوریم. سپس با استفاده از ا...

نمونه­های پودری نانوکامپوزیت دورگه­ای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجه­ی سانتی­گراد سنتز شده­­­­­اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگی­های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب­سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه­ها با استفاده از روش gps 132 a مح...

در این تحقیق، هدف بهبود شیب زیرآستانه به مقادیر کمتر از mv/decade60و نسبت جریان روشن به جریان خاموش با مرتبه بالاتر از 5^10 می باشد. بدین منظور ابتدا روشهای مختلف بهبود عملکرد این افزاره را بررسی کرده و در نهایت روش مهندسی در گاف انرژی با مواد با باندگاپ قابل تنظیم به عنوان روش برتر معرفی می شود. پارامترهای طراحی ترانزیستور اثر میدان تونلی را با استفاده از شبکه عصبی بدست آمده است و ترانزیستورها...

با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز-نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلسیم روی عایق بر روی آن می پردازد و در این راستا سه ساختار نوین ارائه می شود.با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم. در ساختار پیشنهادی اول یکsoi mesfetبا خازن ...

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...