بررسی اثر میدان های مغناطیسی ترکیبی مستقیم (DC) و پالسی با فرکانس بسیار پایین (ELF) بر روی رشد باکتری E. Coli

سابقه و هدف: به دلیل اهمیت میدانهای مغناطیسی در ایجاد تغییراتی در رفتار سلولی و نیز پی بردن به مکانیزم اثر میدان های مغناطیسی ELF (Extremely low frequency) و ترکیب آن با میدان های مغناطیسی مستقیم روی سلول لازم است مطالعه وسیع تری صورت پذیرد. هدف از این تحقیق بررسی تاثیر میدانهای مغناطیسی ترکیبی مستقیم DC و ELF پالسی بر روی رشد باکتری E.Coli-DH5-α بود. روش بررسی: در مطالعه تجربی حاضر، در هر سری آزمایش ده عدد کووت حاوی محیط کشت تلقیح داده شده با باکتری E.Coli در دو گروه تجربی و شاهد بررسی شدند. گروه تجربی در انکوباتور در دمای 1/0±37 درجه سانتی گراد در داخل میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفت. شکل موج میدان متغیر در تمام موارد، پالسی با پهنای پالس 6 میلی ثانیه و محدوده اعمال فرکانس ها 10 الی 45 هرتز به فواصل 5 هرتز و محدوده شدت میدان پالسی موثر 2 الی 4 میلی تسلا به فواصل 1 میلی تسلا و میدان مغناطیسی ثابت در تمام آزمایش ها 1 میلی تسلا و مدت زمان اعمال میدان 6 ساعت بلا فاصله پس از شروع کشت بود. گروه شاهد در شرایط مشابه در محفظه ی آهنی و خارج میدان قرار داده شد. بررسی رشد باکتری، به روش کدورت سنجی محیط کشت ها به وسیله اسپکتروفتومتر در فواصل زمانی مشخص بود. اندازه گیری زمان تاخیر و نیز سرعت رشد در فاز لگاریتمی به عنوان شاخص های ارزیابی انتخاب گردید. یافته ها: میدان های مغناطیسی ترکیبی DC و ELF پالسی بجز فرکانس های 15، 25 و 40 هرتز، سرعت رشد را افزایش دادند. زمان تاخیر بجز در فرکانس های 15، 30 و 45 هرتز تغییر کرد. در فرکانس های 20 و 35 هرتز میدان باعث افزایش زمان تاخیر شد و در فرکانسهای 10 ، 25 و 40 هرتز زمان تاخیر کاهش می یابد و بنابراین در این محدوده از فرکانس اثر میدان بر روی زمان تاخیر در فواصل 15 هرتز تکرار شد. نتیجه گیری: این تحقیق، وجود دریچه هایی از فرکانس را برای تشدید اثر میدان مغناطیسی بر روی سلول تایید کرد.