Tohidi, Maryam
Jundi-Shapur University of Technology
[ 1 ] - تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین
در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌مستقیم گیت و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت…
Co-Authors