مطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای insb نوع n در محدوده دمایی (400- 90) درجه کلوین
Abstract
نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پس از برش تک بلورinsb از نوع n به قطعات کوچکتر و سایش و صیقل زنی آنها ، نمونه هایی با ابعاد معین آماده شدند. برخی از خواص الکتریکی نمونه ها از قبیل رسانندگی الکتریکی ، مقاومت مخصوص ، ضریب هال ، مقاومت مغناطیسی و تحرک حاملهای بار ( الکترون ها) در دماهای مختلف مورد بررسی قرار گرفت.