حسن بیدادی
Theses
تاثیر دمای بازپخت و دمای زیرلایه روی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک دی اکسید قلع تهیه شده به روش بمباران الکترونی
در این تحقیق لایه های نازک به روش تبخیر با باریکه ی الکترونی در روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شدند. این روش تبخیر حرارتی مزایایی بر روش های دیگر دارد. در این روش زیرلایه آسیب نمی بیند و از طرفی چون بعضی از مواد با چشمه حرارتی (بوته) شدیدا واکنش می دهند برای تبخیر موادی از این قبیل
تأثیر درصد مولی اکسید نیکل روی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک ترکیب سه تائی teo2-v2o5-nio تهیه شده به روش تبخیر حرارتی در خلأ
شیشه های اکسیدی شامل اکسیدهای عناصر واسطه بطور وسیع بخاطر خواص نیمرسانایی آنها مورد بررسی قرار گرفته اند. شیشه های تهیه شده بر اساس اکسید تلور (teo2) دارای توانایی جالب تشکیل شیشه بوده و خواص رطوبتی از خود نشان نمی دهند، دارای ضریب انبساط حرارتی بالا، دمای گذار شیشه ای پایین بوده
بررسی ترابرد الکترونی لایه های نازک اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل با غلظت 9/0 مول در لیتر و باز پخت شده در دمای 500 درجه سانتیگراد در محدوده ی دمایی (400-100) درجه کلوین
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متع
بررسی برخی خواص الکتریکی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل- ژل
چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرا
طراحی، ساخت و نصب پروب لانگمیر برای اندازه گیری برخی مشخصات پلاسما در دستگاه کندو پاش پلاسمایی
توسعه ی فن آوری خصوصاً در 25 سال گذشته عاملی شد تا لایه نشانی به روش کندوپاش پلاسمایی در زمینه های متنوع علمی، تحقیقاتی و صنعتی توسعه یابد. هدف ازانجام این پروژه، تعیین پارامترهای پلاسمایی دستگاه کندوپاش مکا 2000 است که لایه نشانی ها براساس این پارامترها انجام می یابد. پلاسمای مو
بررسی برخی خواص نوری، الکتریکی و ساختاری لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم تهیه شده به روش بمباران الکترونی
دی اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم عضوی از گروه مواد اکسیدی رسانای شفاف است. لایه های نازک دی اکسید قلع در صورت آلایش با آلومینیوم جزو نیمرساناهای تبهگن بوده و انتظار می رود خواص فیزیکی جالبی از خود نشان دهند. از آنجا که این لایه ها دارای ویژگی های منحصر بفردی از قبیل شفافیت در نا
بررسی خواص الکتروفیزیکی واریستورهای ترکیبی تهیّه شده براساس گالیم آرسنید و پلیمر (پلی آنیلین)
ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عم
مطالعه ساختار و اندازه گیری پارامترهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار سلنیدقلع (snse) تهیه شده به روش حمام شیمیایی در دمای اتاق
از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حام
تهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین
سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کی
تهیه لایه های نازک سلنید قلع(snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی خواص ساختاری و نوری آنها در دمای اتاق
چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیای
بررسی ویژگیهای الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای سیلیسیم و پلیمر
یکی از بهترین روش¬ها برای محافظت از مدارها و قطعات الکترونیکی در برابر جریان¬های گذرا و فوق ولتاژها، استفاده از مقاومت¬های تابع ولتاژ یا واریستورها است. در اینجا هدف پروژه ساخت واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای سیلیسیم است. ساخت واریستورهای کامپوزیتی، به روش پرس گرم و با استفاده از
بررسی رفتار غیرخطی فیلم های کامپوزیتی تهیه شده بر اساس اکسیدروی و پلی پیرول
امروزه، به طور گسترده برای محافظت مدارهای الکترونیکی، میکرو الکترونیکی و تجهیزات الکتریکی از مقاومت¬های غیر¬خطی بر پایه مواد کامپوزیتی استفاده می¬شود. نیم¬رساناهای کامپوزیتی خواص و کاربردهای گسترده¬ای از خود نشان می¬دهند. در بین تحقیقات گسترده صورت گرفته روی نیم¬رساناهای کامپوزیت
تهیه لایه های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید (aln) با روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی ویژگی های الکتریکی آن ها با تغییر شرایط نهشت
آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثاب
بررسی ویژگی های ساختاری لایه های نازک نانوساختار (aln) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی(dc) با تغییر شرایط نهشت
لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن سا
بررسی تاثیر دما و فشار سنتز بر رفتار الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی تهیه شده بر مبنای اکسید روی-پلی پیرول
یکی از بهترین روش ها برای محافظت از مدارها و قطعات الکترونیکی در برابر جریان های گذرا و فوق ولتاژها، استفاده از مقاومت های تابع ولتاژ یا واریستورها است. در اینجا هدف پروژه ساخت واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای اکسیدروی است. ساخت واریستورهای کامپوزیتی، به روش پرس گرم و با استفاده از
تغییر شرایط دمایی آماده سازی اولیه اکسید روی و تأثیر آن بر رفتار الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی تهیه شده بر مبنای اکسید روی – پلی پیرول
واریستورهای اکسید روی به طور گسترده ای برای محافظت مدارهای الکترونیکی، تجهیزات پزشکی و لوازم الکتریکی در مقابل افزایش غیر طبیعی موج ولتاژ استفاده می شوند. تا زمانی که ولتاژ اعمالی به اندازه کافی از «ولتاژ شکست» واریستور کوچک باشد، واریستور به صورت یک قطعه نارسانا در مدار عمل می-ک
بررسی خواص الکتروفیزیکی واریستورهای ترکیبی تهیه شده براساس اکسید روی و پلیمر (پلی آنیلین)
چکیده ندارد.
بررسی خواص لایه های نازک ti تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی dc
چکیده ندارد.
بررسی مکانیسم های پراکندگی در تک بلورهای insb نوع p در محدوده دمایی 350-100 درجه کلوین
چکیده ندارد.
تهیه لایه های نازکی از واریستورهای ساخته بر پایه اکسید روی (zno) به روش بمباران الکترونی و بررسی خواص الکتریکی آنها
چکیده ندارد.
بررسی برخی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک (ito) تهیه شده به روش بمباران الکترونی
لایههای نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگیهای منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنه
بررسی مکانیسم های پراکندگی در تک بلورهای in as از نوع n
نیمرسانای inas از نیمرساناهای ترکیبی گروه iii-v است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز insb) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیون
مطالعه قطبش آنی و پیزوالکتریکی ساختار نامتجانس algan/gan
در این کار پژوهشی تحرک پذیری گاز الکترونی دو بعدی (2deg) در ساختارهای نامتجانس algan/gan در حضور اثرات قطبشی خودبخود و پیزوالکتریکی محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از حل تحلیلی معادلات شرودینگر و پواسون صورت گرفته است. نتایج نشان می دهد علی رغم اینکه میدانهای قطبشی بطو
مطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای insb نوع n در محدوده دمایی (400- 90) درجه کلوین
نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک
اندازه گیری طول میرایی الکترون در لایه های فلزی و عایق ساختارهای فلز - cef3- فلز در محدوده دمایی 200 تا 500 درجه کلوین
لایه های نازک مواد آمورف ( بی شکل) که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده اند، هنگامی که تحت یک میدان الکتریکی قوی قرار می گیرند، خواص الکتریکی جالبی از جمله : کاهش چندین مرتبه مقداری مقاومت در مشخصه جریان - ولتاژ نمونه، ناحیه مقاومت منفی ، گسیل الکترون به خلا ، الکترولومی نسانس و خا
مطالعه ترابرد الکترونی و مکانیزم های پراکندگی در تک بلورهای gaas از نوع p در محدوده دمایی (400-100)درجه کلوین
دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی gaas هستند به ترتیب با عناصر cr، fe و co آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه gaas به وجود می آورند و
بهینه سازی دیود نوری mct برای آشکارسازی تابش ip در دمای اتاق و در محدوده طول موجی 8-12um
hg1-x-cdxte یک نیمرسانای آلیاژی دارای کوچکترین گاف انرژی در مقایسه با نیمرساناهای دیگر است. این ترکیب بطور گسترده برای آشکارسازی تابش مادون قرمز در ناحیه طول موجی 1-30 میکرومتر مورد استفاده قرار می گیرد. مشکل اساسی در کاربرد این ماده hg1-xcdte در آشکارسازهای مادون قرمز ،