بررسی ناپیوستگی های نواری در ساختار gaas/ ahas به روش محاسباتی شبه پتانسیل ابتدا به ساکن
Abstract
در این نوشتار تقریبهائی را که منجر به معادله تک - الکترونی برای الکترونهای درون بلور می شود مورد بررسی قرار داده و روشهای مختلف محاسبه ساختار نواری به صورت مختصر بیان شده است. تقریب شبه پتانسیل، انواع شبه پتانسیلها و نحوه بدست آوردن شبه پتانسیل ابتدا به ساکن به کمک محاسبات خودسازگار به شکلی مبسوط مطرح گردیده اند ضمنا انواع روشهای نظری و روشهای تجربی (البته به اختصار) محاسبه ناپیوستگی های نواری بیان شده و از بین آنها دو روش نظری بسیار مهم پتانسیل متوسط و چگالی حالتهای موضعی (ldos) برای ابر شبکه gaas/alas ابتدا برای سه لایه اتمی و سپس برای شش لایه اتمی محاسبه گردیده و نتایج با یکدیگر و با نتایج گزارش شده نظری و تجربی دیگران مقایسه شده اند.