بررسی و محاسبه ناپیوستگی نواری در سیستم si/ge به روش محاسباتی شبه پتانسیل ابتدا به ساکن
Abstract
در این پایان نامه سعی شده است برخی از خواص الکترونیکی ساختار si/ge به صورت نظری محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه گردد. تکنیک به کار رفته در این محاسبات استفاده از روش خودسازگار و نظریه تابعی چگالی در چارچوب شبه پتانسیلهای ابتدا به ساکن می باشد.