طراحی یکسوساز پسیو، کاملا مجتمع و پر بازده برای تراشه های کاشتنی cmos
Abstract
در vin=|4.4|v و بالاتر بازده انتقال توان و بازده انتقال ولتاژ این یکسوساز برای رنج وسیعی از دامنه سیگنال ورودی ac، 90% و بالاتر می باشد. درvin=|5|v این دو مقدار 91% می باشند.نتایج شبیه سازی نشان دهنده توانایی بالای این یکسوساز در عملکرد در جریان های بار بالا می باشد. در vin|=|2.17|v این یکسوساز قادر به تحویل 20.2ma جریان به بار می باشد. در vin=|5|v این جریان به 42.1ma می رسد. این مقدار برای تمام تراشه های کاشتنی کافیست و تقریبا دو برابر مقداریست که اخیرا در vin=|5|v و فرکانس 10mhzدر [25] گزارش شده است.یکسوساز پیشنهاد شده در این مرحله تنها برای ولتاژ های پایین شبیه سازی و بهینه سازی شد. نتایج شبیه سازی نشان دهنده افزایش قابل ملاحظه بازده انتقال ولتاژ این یکسوساز در کل بازه 0v تا 0.9v در مقایسه با قسمت 6-1 و مرجع [25] می باشد.در دامنه سیگنال ورودی vin=|0.4|v بازده انتقال ولتاژ و بازده انتقال توان این یکسوساز به ترتیب 70.3% و 68.3% می باشد. این مقادیر در vin=|0.5|v به ترتیب به82% و 69% می رسد. در vin|=|0.8|v و vin=|0.9|v بازده انتقال ولتاژ به 83% می رسد.