هومن نبوتی
Theses
بررسی روش های طراحی و خطی سازی میکسر در تکنولوژی cmos
این پایان نامه ایده استفاده از ترانزیستورهای pmos را به جای نوع nmos در طراحی میکسر پایین آورنده گیلبرت، برای کاهش عدد نویز خروجی بررسی می کند. و پس از ارائه روابط مربوط به اثر خازن های پارازیتی منبع جریان اصلی در ایجاد اعوجاج و مدولاسیون تداخلی مرتبه سوم، روشی برای حذف آن ارائه
شبیه سازی و طراحی میکسر cmos کم نویز با تکنیک تقسیم جریان برای گیرنده های تبدیل مستقیم
این مقاله طراحی و شبیه سازی میکسر rf کم نویز در تکنولوژی 0.18um cmos برای گیرنده های تبدیل مستقیم در باند c و rfid و بلوتوث رانشان می دهد. هسته میکسر بر پایه معماری سلول گیلبرت بنا شده و از روش تزریق بار برای افزایش خطیسازی، کاهش نویز و افزایش بهره (بدلیل تزریق بار) استفاده می کن
سلول های خورشیدی
با توجه به پیشرفت روز افزون علوم بشری در زمینه های گوناگون دست آورد های فراوانی در زمینه های علمی به وجود آمده است که همه ی آن ها در خدمت رسانی به بشر می باشند. در این راستا منابع گوناگون انرژی، نقش حیاتی در پیشرفت این علوم دارند. یکی از انرژی هایی که به عنوان انرژی نو و جایگزین
طراحی فیلترهای مجتمع با تکنیک si (جریان سویچ شده) switched current filters
تکنیک si یک حوزه جدید در پردازش اطلاعات نمونه برداری شده آنالوگ باز کرده است که مزایایی چون عدم نیاز به خازنهای خطی شناور و مناسب بودن برای عملکرد ولتاژ پائین در طرحهای سیگنال مخلوط شده ، را در فرآیندهای ساخت استاندارد cmos آسان می کند. با این امکان می توان مزیت های مدارهای آنالو
تحلیل مدارات غیرخطی ضعیف با استفاده از روش هارمونیک بالانس و مدل دو قطبی ترانزیستور
چکیده طی دهه های اخیر بر آنالیز غیرخطی مدارات الکترونیکی مطالعات بسیاری انجام گرفته است. روش هارمونیک بالانس انتخاب بسیار مناسبی برای تحلیل مدرات غیرخطی می باشد و این به دلیل بهره بردن این روش از هر دو تحلیل حوزه فرکانس و تحلیل حوزه زمان به صورت همزمان می باشد. این روش در استنتاج
طراحی و بهینه سازی مدار واسط سنسورهای خازنی با استفاده از مدولاتورهای سیگما دلتا
اخیرا، در صنعت درخواست برای شتاب سنج های mems با توان پایین برای کاربردهای مختلف اعم از نظامی و پزشکی،سیستم ناوبری،سیستم پایداری خودرو و... افزایش یافته است. شتاب سنج های mems شامل یک قسمت حسگر و مدار رابط الکترونیکی می باشد.در این پروژه ابتدا ساختار مناسب برای خروجی دیجیتال حسگر
طراحی یک مبدل آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین 8bit، 10ms/s در تکنولوژی 0.18?m cmos
مبدل های آنالوگ به دیجیتال پایپ لاین که از رایج ترین مبدل های امروزی می باشند برای کاربردهای پر سرعت و وضوح متوسط قابل استفاده می باشند ولی توان مصرفی این مبدل ها چالش اصلی طراحی آن ها می باشند. خصوصا کاربردهای قابل حمل و مبتنی بر باتری، اهمیت توان مصرفی را افزایش می دهد. در این
طراحی و بهینه سازی مدار ورودی کم نویز برای گیرنده-هایrf
این پایان نامه طراحی و بهینه سازی چهار مدار در فرکانس های بالا را مورد بررسی قرار می دهد. در ابتدا دو ساختار جدید lna باند پهن و باند باریک را مطرح می کنیم. ساختار lna پهن باند در یک رنج وسیع 3-10ghz و در تغییرات بهره کمتر از 3db طراحی شده است. در این ساختار توپولوژی current-reus
آنالیز و طراحی تقویتکنندههای کمنویز خطی
بطور کلی موضوع اصلی این پایاننامه، آنالیز و طراحی تقویتکنندههای کم نویز خطی میباشد. برای این منظور در ابتدا به اصلاح رفتار غیرخطی یک نمونه تقویتکننده کم نویز پرداختهشده است بدین ترتیب که با اصلاح ساختاری در آن پارامتر نقطه برخورد ورودی (iip3 ) به اندازه 37db افزایش پیدا کر
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های کم نویز با ولتاژ و توان مصرفی بسیارکم
در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند . امروزه اکثر سیستم ها به صورت بیسیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود . یکی
طراحی و شبیه سازی فیلتر بیضوی با ترارسانا و خازن در تکنولوژی cmos
در این پایان نامه فیلتر بیضوی پایین گذر در تکنولوژی ?m cmos 18/0 طراحی و شبیه سازی خواهد شد. این فیلتر بر اساس ساختار ota-c می باشد و کاربرد آن در دستگاه موج نگاری مغز می باشد. پهنای باند این فیلتر چهار باند موج مغز را پوشش می دهد و در فرکانس hz50 که مربوط به برق شهر بوده و به صو
بررسی ساختارهای مختلف full adder
در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگ
طراحی یکسوساز پسیو، کاملا مجتمع و پر بازده برای تراشه های کاشتنی cmos
در vin=|4.4|v و بالاتر بازده انتقال توان و بازده انتقال ولتاژ این یکسوساز برای رنج وسیعی از دامنه سیگنال ورودی ac، 90% و بالاتر می باشد. درvin=|5|v این دو مقدار 91% می باشند.نتایج شبیه سازی نشان دهنده توانایی بالای این یکسوساز در عملکرد در جریان های بار بالا می باشد. در vin|=|2.1
طراحی و شبیه سازی میکسرهایی با ولتاژ و توان مصرفی پایین برای کاربردهای پهن باند
در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند. امروزه اکثر سیستم ها به صورت بی سیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود. یکی ا
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های توان کلاس e به همراه مدولاسیون توان
افزایش کاربرد مخابرات بی سیم به طراحی و بهینه سازی تقویت کننده های توان به عنوان جزء لاینفک سیستم های فرستنده گیرنده rf نیاز دارد. در یک تقویت کننده توان پر بازده، افزایش حتی چند درصدی بازده منجر به کاهش توان مصرفی به مقدار قابل ملاحظه ای می شود که این به منزله دسترسی به توان های
طراحی و بهینه سازی تقویت کننده توان کلاس e پهن یاند جهت استفاده برای شبکه های wlan
همان طور که میدانیم تقویت کنندههای توان یک بخش ضروری و حیاتی در فرستندههای مخابراتی میباشند که وظیفه اصلی آنها تقویت سیگنال ارسالی به سطح مطلوبی از توان میباشد بطوریکه بوسیله گیرنده، سیگنال اصلی قابل آشکارسازی باشد. یکی از تکنولوژیهای بسیار پر کاربرد در جهان امروز استفاده ا
روش های بهبود ضریب کیفیت سلف های cmos
در این گزارش ابتدا به بررسی مدار معادل و المانهای معادل سلف خواهیم پرداخت و سپس عملکرد سلفهای cmos، انواع مختلف سلفهای مجتمع و توپولوژی های مختلف ساخت سلف مورد بحث قرار خواهند گرفت. تکنولوژیهای مختلف ساخت سلف از قبیلmems ،gaas، soi cmos، vlsi cmos و چندین روش برای بهبود ضریب کیفی
کاهش نویز فاز در اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ تکنولوژی cmos از طریق تزریق سیگنال کوچک
طراحی اسیلاتور با نویز فاز کمتر، همواره مدنظر طراحان بوده است. در میان اسیلاتورهای مختلف، اسیلاتورهای lc به دلیل عملکرد نویز فاز بهتر، مصرف توان کمتر، ساختار تفاضلی و پیاده¬سازی آسان نسبت به سایر اسیلاتورها نقش مهمی را در طراحی مدارهای فرکانس بالا ایفا می¬کنند. ابتدا مروری بر برخ
مدلینگ سلف مجتمع در تکنولوژی cmos
سلف مجتمع یک المان ضروری در طراحی مدارهای مجتمع فرکانس رادیویی می¬باشد. در کاربردهای فرکانس بالا ضریب کیفیت یکی از مهم¬ترین پارامترها در تعیین شایستگی مدار است. سلف هم یک المان موثر در تعیین ضریب کیفیت و فرکانس کاری مدار به شمار می¬رود و طراحی آن باید همانند دیگر المان¬های پسیو د
مدارات شکاف باند انرژی در تکنولوژی cmos
بلوک تغذیه ازجمله بخشهای مهم واساسی هرتراشه مجتمع امروزی میباشد . درحالت کلی، ازرگولاتورهای ولتاژخطی، به منظورتغذیه بخش آنالوگ سیستم که ازحساسیت بیشتری نسبت به نویز برخورداراست، همچنین برای تولید یک ولتاژخروجی پایدار و دقیق در وسایل قابل حمل، استفاده میشود. در اینگونه مدارات
طراحی lna های cmos در طول موج میلیمتری
در این پایان¬نامه طراحی مدارهای cmos در فرکانس¬های با طول موج میلیمتری مورد بررسی قرار گرفت و عملکرد قطعات فعال و غیرفعال در این فرکانس¬ها بیان شد. به¬دلیل اثرات پارازیتی موجود در فرکانس¬های بسیار بالا، مدل قطعات شامل سلف، خازن و خط انتقال، باید با استفاده از آنالیز جریان¬های شار
طراحی مدار شارژپمپ در تکنولوژی cmos
این گزارش در مورد انواع شارژپمپ ها که برای ایجاد ولتاژ بالاتر استفاده می شوند و پارامترهای اساسی آنها توضیح می دهد. در نهایت در مورد بازده و ریپل ولتاژ شارژپمپ طراحی شده بحث می شود. ریپل ولتاژ پایین برای بسیاری از مدارات جزو پارامترهای مهم می باشد. اگر ریپل ولتاژ خروجی بسیار بزرگ
طراحی تقویت کننده توان کلاس e با شبکه تطبیق جدید
رشد روز افزون فناوری بی سیم همراه و در خواست ها برای سیستم هایی با عمر باطری بیشتر، نیاز به توجه بیشتر به سوی طراحی هایی با مصرف توان کمتر را ایجاب می کند. در این بین تقویت کننده های توان به دلیل مصرف توان زیاد، نیاز به طراحی دقیقی دارند. تلاش های زیادی برای افزایش بازدهی تقویت ک
کاهش نویز فاز در اسیلاتورهای کنترل شده با ولتاژ چند باندی
طراحی و ساخت اولین vco فرکانس ثابت قابل برنامه ریزی جهت کاربرد در گیرنده¬ی استاندارد بی سیم درتکنولوژی tsmc cmos o.18um است. نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ، یک بخش مهم از pll یا سنتز کننده ی فرکانسی است که در اغلب فرستنده ـ گیرنده های مخابراتی استفاده می شود. روند رو به رشد ارتبا
بهینه سازی سلول های خورشیدی سیلیکنی هتروجانکشن با ساختار hit
در صنعت سلول های خورشیدی، سلول های سیلیکنی بواسطه فراوانی مواد اولیه و گستردگی تجهیزات ساخت بیشترین سهم را از آن خود کرده اند. در میان سلول های سیلیکنی، ساختارهای هتروجانکشن آمورف/کریستالی به دلیل هزینه تولید پایین،پسیویشن مناسب و امکان دستیابی به بازده های بالا بسیار مورد توجه ه
بهینه سازی نویز فاز و توان مصرفی در نوسان سازها
در این پایان نامه در فصل اول به بررسی حلقه قفل فاز پرداخته می شود. همچنین بدلیل اهمیت زیاد نوسان سازها در تولید نویز فاز در فصل دوم به بررسی ساختارهای متفاوت آن پرداخته می¬شود. فصل سوم در مورد پارامترهای نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ صحبت می شود. نوسان سازهای مورد استفاده در صنعتr
استفاده از مدولاسیون سیگما دلتا در سنتزکننده فرکانس n کسری
سنتز فرکانس به روش n کسری امکان سوئیچینگ سریع در سیستمهای باند باریک را فراهم میسازد. همچنین محدودیتهای طراحی حلقه قفلفاز از جمله نویزفاز و نفوذ را کاهش میدهد. تقسیمکننده دو ضریبی به دلیل عملکرد متناوب، مشکل نفوذ کسری را در سنتزکنندههای فرکانس n کسری بوجود میآورد. روشهای م