طراحی و امکان سنجی ساخت تکنیک چهارسیمه برای انداز ه گیری gmr در نانولایه ها و نانوکامپوزیت های مغناطیسی
Abstract
مطالعه و اندازه گیری مغناطومقاومت در نوع خاصی از نانولایه ها یکی از موضوعات مورد علاقه ی روز است. عدم وجود دستگاه اندازه گیری مغناطومقاومت در داخل کشور، نیاز به طراحی و امکان سنجی ساخت این دستگاه را مشخص می سازد. مطالعه و طراحی قطعات، ابعاد، جنس مواد و تعیین پارامترهای فیزیکی دستگاه چهار سیمه و ساخت این دستگاه از جمله نتایج این تحقیق است. . در این تحقیق به بررسی و محاسبه ی ضرایب تصحیح مربوط به شکل و ضخامت نمونه ی مورد آزمایش پرداخته شده است. این کار به محاسبه ی مقاومت ویژه ی نمونه از روی مقاومت اندازه گیری شده توسط دستگاه چهار سیمه، منتهی می شود. بررسی تکنیک های اندازه گیری و مقایسه بین تکنیک های اندازه گیری چهار سیمه برای شکل های مختلف و مطالعه بر روی مغناطومقاومت موازی و عمودی، از دیگر مواردی است که در این طرح به آن پرداخته شده است. بیشترین میزان مغناطومقاومت اندازه گیری شده برابر 8 درصد در چندلایه ای های(ni-co/cu)_400 می باشد. از جمله نتایج کلی این تحقیق، ایجاد مرکزی در داخل کشور برای اندازه گیری مغناطومقاومت می باشد.
![شکل -1 3 ترابرد الکترون در لایههای مغناطیسی و غیر مغناطیسی [5]](/files/fig/97/0d/970dea9236b8206dc0ed52229f334d98de2ec44c4e75e3c5fec54bf29f88e08f-p16-1.webp)
![شکل -1 6 پیکربندی موازی و پادموازی لایهها و مقاومتهای متناظر با آنها [5]](/files/fig/97/0d/970dea9236b8206dc0ed52229f334d98de2ec44c4e75e3c5fec54bf29f88e08f-p19-1.webp)