غلامرضا نبیونی
Theses
رشد و مشخصه یابی ساختاری و مغناطیسی لایه های نازک آمورف و نانو بلوری co-p
الکتروانباشت یکی از روش های لایه نشانی است که امکان رشد لایه های آلیاژی، تک لایه و چند لایه ای را در شرایط طبیعی دما وفشار فراهم می کند. در این پروژه لایه های co-p و co به روش الکتروانباشت در دو مد chc و cha تحت پتانسیل ثابت در الکترولیت تک حمام بر روی زیرلایه های cu و ti انباشت
الکتروانباشت لایه های نازک نانوساختار کبالت کروم و بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه ها
لایه های نازک خواص اپتیکی، الکتریکی، مکانیکی و دیگر خواص قابل ملاحظه ای را از خود نشان می دهند. علاوه بر این، ممکن است لایه های نازک روی فرایند های مختلفی که در سطح و فصل مشترک ها رخ می دهد، اثر قابل ملاحظه ای داشته باشند. استفاده از لایه های نازک به عنوان لایه های کاهنده ی اصطک
مطالعه خواص مغناطیسی و بررسی شرایط موثر بر الکتروانباشت فیلم های نازک نانوکریستالی پرمالوی و چندلایه ای های nife/cu
در سال های اخیر مواد مغناطیسی نرم به خصوص آلیاژ های نانو ساختار به طور گسترده ای در صنایع مختلف مورد استفاده قرار گرفته است. این مواد به عنوان جذب کننده ی نویزهای الکترومغناطیسی برای جلوگیری از خراب شدن مدارهای الکترونیکی، در وسایلی که با فرکانس-های بالا کار می کنند، به عنوان هست
الکترولس ، مشخصه یابی و مطالعه ی خواص نیمه رسانایی لایه های نازک نانو بلور کادمیوم تلوراید(cdte)
چکیده در سال های اخیر لایه های نازک نانو کریستال کادمیوم تلوراید (cdte) به دلیل نقش عمده ی آن ها در فناوری های مربوط به پیل های خورشیدی لایه نازک مورد توجه قرار گرفته اند. در این پروژه چگونگی ساخت لایه های نانو ساختار کادمیوم تلوراید را با روش آسان انباشت شیمیایی کنترل شده بر روی
الکتروانباشت لایه های نازک فلزی pb و آلیاژی pbco به منظور بررسی خواص ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی آن ها
الکتروانباشت یکی از روش های لایه نشانی است که امکان رشد لایه های آلیاژی، تک لایه و چند لایه ای را در شرایط طبیعی دما و فشار فراهم می کند. در این پروژه لایه های نازک فلزی pb به روش الکتروانباشت در مد کرونوکولومتری ((chc و تحت پتانسیل ثابت در الکترولیت تک حمام بر روی زیرلایه های cu
تهیه و رشد نانوذرات و لایه های نازک مغناطیسی با خاصیت gmr، به منظور بررسی و طراحی نانوحسگرها با حساسیت نانوتسلا
در این پایان نامه لایه های آلیاژی co/ru و چندلایه ای های co-ru/ru به روش الکتروانباشت از یک الکترولیت تک حمام حاوی سولفات کبالت، کلرید روتینیوم و کلرید آمونیوم تهیه شدند. اندازه گیری مغناطومقاومت نمونه های چندلایه ای حاکی از اثر amr بود و ویژگی gmr در آن ها مشاهده نشد. به همین من
الکتروانباشت، مشخصه یابی و مطالعه ی مغناطیسی لایه های نانو ساختار آلیاژی و چند لایه ای آهن-کبالت-مس
الکتروانباشت یکی از روش های لایه نشانی است که امکان رشد لایه های آلیاژی، تک لایه و بس لایه ای را در شرایط طبیعی دما و فشار فراهم می کند. در این پروژه لایه های نازک آلیاژی fe-co بر روی زیرلایه cu به روش الکتروانباشت در مد کرونوکولومتری ((chc و تحت پتانسیل ثابت در الکترولیت تک حمام
ساخت نانو ذرات tio2 به روش سل- ژل و مطالعه اثر آلایش مواد مغناطیسی بر خواص فیزیکی آنها
دی اکسیدتیتانیوم به عنوان یکی از مهم ترین اکسیدها با گاف انرژی پهن (eg = 3ev)، در چند دهه ی اخیر مورد توجه در تحقیقات تکنولوژیکی بوده است. خصوصیات الکتروشیمیایی آن برای سلول های خورشیدی، فوتوکاتالیست و سنسورهای گازی کاربردپذیر است. همچنین tio2 با دارا بودن ثابت دی الکتریک بالا و
رشد الکتروشیمیایی و مطالعه ساختاری لایه های نازک طلا، آلیاژها و چندلایه ای های طلا-نیکل
الکتروانباشت یکی از ساده ترین، انعطاف پذیرترین و کم هزینه ترین روش های لایه نشانی نسبت به سایر روش های موجود بر پایه ی تکنیک خلا می باشد که امکان رشد تک لایه ای ها، چندلایه ای ها و لایه های آلیاژی مغناطیسی را در شرایط طبیعی دما و فشار فراهم می کند. در این پروژه پس از شناسایی و رس
بررسی ناهمواری های سطحی و خواص مغناطیسی نانوساختارهای فلزی
در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسب
سنتز نانوذرات سولفیدکادمیوم به کمک امواج مایکروویو
در سال های اخیر، نانوبلورهای نیمه رسانا به خاطر خواص منحصر به فرد الکتریکی و نوری شان که ناشی از اثرات کوانتومی است توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. یکی از مهمترین نیمه رساناهای گروه ii-iv سولفیدکادمیوم است، توجه زیادی را به خود جلب کرده است و مطالعات گسترده ای را به خاطر خواص
رشد نانوسیم های مغناطیسی به روش الکتروانباشت درون تمپلیت های اکسید آلومینیوم اندی
امروزه نانو فناوری جایگاه ویژهای در دنیای علم و زندگی روزمره انسان ها پیدا کرده است. یکی از زیباترین شاخه های نانو فناوری، نانوسیم ها هستند که فیزیک حاکم بر دنیای آنها توجه های تعداد زیادی از محققین و دانشمندان را به خود جلب کرده است. در مقایسه با سایر روش ها الکتروانباشت با استف
طراحی و امکان سنجی ساخت تکنیک چهارسیمه برای انداز ه گیری gmr در نانولایه ها و نانوکامپوزیت های مغناطیسی
مطالعه و اندازه گیری مغناطومقاومت در نوع خاصی از نانولایه ها یکی از موضوعات مورد علاقه ی روز است. عدم وجود دستگاه اندازه گیری مغناطومقاومت در داخل کشور، نیاز به طراحی و امکان سنجی ساخت این دستگاه را مشخص می سازد. مطالعه و طراحی قطعات، ابعاد، جنس مواد و تعیین پارامترهای فیزیکی دست
تهیه فریت نیکل-بیسموت به روش آلیاژسازی مکانیکی و بررسی ویژگی های ساختاری و مغناطیسی آن
در این پژوهش نخست، فریت نیکل-بیسموت با فرمول استوکیومتری: nife2-xbixo4(x=0,0.1,0.2,0.3)به عنوان نمونه ای از فریت های نرم به روش متداول سرامیکی تهیه شد. مواد خام به کار برده شده در تهیه این فریت، اکسید آهن، اکسید نیکل و اکسید بیسموت می باشد که همگی از شرکت مرک آلمان خریداری شدند.
مشخصه یابی مغناطیسی نانوذرات و نانوکامپوزیت فریت باریم تهیه شده به روش سل-ژل
در دهه های اخیر به علت مصرف گسترده هگزا فریت باریم (bafe12o19) در صنایع الکتریکی و مخابراتی، تحقیقات وسیعی بر روی این ماده انجام گرفته است. دلایل استفاده از این ماده عبارتند از: دارا بودن اشباع مغناطیسی بزرگ، نیروی پسماند زدایی و نا همسانگردی مغناطیسی بزرگ، پایداری شیمیایی عالی،
سنتز و مشخصه یابی نانو ذرات مغناطیسی اکسید آهن تهیه شده به روش هم رسوبی
هدف از این تحقیق تولید نانو ذرات مغناطیسی اکسید آهن به روش هم رسوبی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها می باشد. خصوصیت منحصر به فرد فریت ها، نسبت به آهن و دیگر مواد فرو مغناطیس،عایق بودن آن هاست. مقاومت ویژه نوعی فریت ها 1 تا 104 اهم متر است، در حالی که از آهن 7-10 اهم متر است
رشد و مشخصه یابی ساختاری و مغناطیسی نانوساختارها و لایه های کبالت - نقره
الکتروانباشت یکی از ساده¬ترین، انعطاف¬پذیرترین و کم¬هزینه¬ترین روش¬های لایه¬نشانی نسبت به سایر روش¬های موجود بر پایه¬ی تکنیک خلأ می¬باشد که امکان رشد تک لایه¬ای¬ها، چندلایه¬ای¬ها و لایه¬های آلیاژی مغناطیسی را در شرایط طبیعی دما و فشار فراهم می¬کند. در این پروژه لایه¬های نازک ag،c
تهیه فریت روی-بیسموت به روش مکانوشیمیایی و تبدیل آن به پودر نانومتری به روش آلیاژسازی مکانیکی
در این پژوهش نخست، فریت روی-بیسموت با فرمول استوکیومتری، xbixo4(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.3) znfe2 به عنوان نمونه¬ای از فریت¬های نرم به روش متداول سرامیکی تهیه شد. مواد خام به¬کار برده شده در تهیه این فریت، اکسید آهن، اکسید روی و اکسید بیسموت می¬باشد. پس از توزین و پخت مواد
سنتز نانو ذرات و نانو کامپوزیت های مغناطیسی cofe2o4 و کاربرد آن¬ها در جداسازی بخار آب و برخی گاز¬ها
جداسازی غشایی گاز نسبت به فرآیندهای جداسازی سنتی گاز مانند تقطیر، تبرید، فرایندهای جذب با مایع و جامد دارای مزایایی از جمله بازدهی انرژی بهتر و فرایند پذیری مناسب¬تر می¬باشد. غشاهای پلیمر- نانو ذرات غیر آلی بدلیل دارا بودن خواص غشاهای آلی و غیرآلی مانند تراوایی و گزینش پذیری مناس
الکتروانباشت و مطالعه ساختاری و خواص مغناطیسی نانوساختارهای آهن-پلاتین
الکتروانباشت یکی از ساده¬ترین، انعطاف¬پذیرترین و کم¬هزینه¬ترین روش¬های لایه¬نشانی نسبت به سایر روش¬های موجود بر پایه¬ی تکنیک خلأ می¬باشد که امکان رشد تک لایه¬ای¬ها، چندلایه¬ای¬ها و لایه¬های آلیاژی مغناطیسی را در شرایط طبیعی دما و فشار فراهم می¬کند. در این پروژه لایه¬های نازک pt،
سنتز نانوکامپوزیت های اکسید آهن – زئولیت و کاربرد آن ها در جداسازی گاز
نانوذرات اکسید آهن به عنوان یکی از مهم ترین نانوذرات مغناطیسی شناخته در یک دهه ی گذشته ، مورد توجه بسیاری از پژوهش گران و محققین قرار گرفته است . از جمله کاربرد های وسیع این نانوذرات می توان به نقش کاتالیستی ، دارو رسانی ، درمان سرطان ، تصفیه ی آب های آلوده به فلزات سنگین و مواد
سنتز نانو ذرات فریت مس به روش ماکروویو و بررسی خواص مغناطیسی
هدف از این پژوهش، سنتز نانو ذرات مغناطیسی فریت مس به روش مایکروویو می باشد. فریت مس یکی از انواع مختلف فریت ها می باشد که با داشتن خاصیت مغناطیسی به طور گسترده در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار می گیرد. مقاومت الکتریکی فریت مس در مواجه با گاز های مختلف تغییر می کند و هنگامی که
مطالعه اثر میدان مغناطیسی بر الکتروانباشت و رشد نانولایه های آهن-مس
در این پروژه لایه های نازک آهن، مس و همچنین بس لایه ای های آهن - مس به روش الکتروانباشت در حضور میدان مغناطیسی خارجی و در غیاب آن رشد داده شدند و تاثیر میدان مغناطیسی بر فرآیند رشد این لایه هابررسی شد.