محمدکاظم مروج فرشی
Theses
طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با سورس و درین مهندسی شده
رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربن
مدلسازی و ساخت حسگرهای گاز مبتنی بر نانولوله های کربنی
هدف از این پژوهش طراحی و ساخت حسگرهای گاز مبتنی برنانولوله های کربنی (cnt) است. با توجه به اینکه تشخیص گاز متان در صنایع کشور اهمیت خاصی دارد بنابراین تمرکز ما برروی ساخت حسگر گاز متان بوده است. حسگرهای اکسید فلز که از رایج ترین حسگرها هستند معمولاً در دماهای بالا (500-300 درجه س
طراحی و شبیه سازی دی مالتی پلکسر فونونی
در این پایان نامه از ساختارهای متناوب سیال (بستر)- جامد (درون گیره) به عنوان بلورهای فونونی برای طراحی دی مالتی پلکسر آکوستیکی دو کاناله بهره گیری شده است. بلور فونونی به کار رفته در این طراحی از میله های استوانه ای (استیل) در بستر آب با شبکه مربعی تشکیل شده است. دراین طراحی فرض
طراحی و شبیه سازی جاذب نوری فراماده ای نانوساختار
هدف این پایان¬نامه، بررسی ساختارهای فراماده و دستیابی به ساختاری نوین با خاصیت فراماده¬ای برای استفاده در جاذب نوری است. در این راستا، ابتدا ساختارهای فراماده¬ای بررسی کرده و بر اساس دو مشخصه بنیادین یعنی گذردهی¬الکتریکی و نفوذپذیری مغناطیسی مواد تشکیل دهنده ی ساختار فراماده آن ر
طراحی و تحلیل افزاره های نوری بر پایه ساختار متقارن pt
در این رساله با کمک ساختار های متقارن pt چندین افزاره نوری در حوزه خطی و غیرخطی طراحی و شبیه¬سازی خواهد شد. یکی از بارزترین ویژگی ساختارهای pt وارون ناپذیر بودن آن ها است. برای اولین مرتبه در آزمایشگاه شبیه سازی افزاره های پیشرفته در دانشگاه تربیت مدرس نشان داده می شود، کوپلر نور
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور نانولوله کربنی برای تقویت در محدوده مایکروویو
با توجه به مشکلاتی که با کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون (به منظور افزایش سرعت، افزایش چگالی ادوات و ...) برای ادوات سیلیکونی پیش آمده است نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که به عنوان نامزدی برای استفاده در ترانزیستورها به عنوان
شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی
در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی بر بستر بلورهای فونونی با روش چند موجبری ارائه شده است. برای طراحی این گیت ها از بسترهای فونونی سیلیکنی جهت مجتمع سازی با سایر ادوات اپتوالکترونیکی که یکی از مزایای این طرح نیز می باشد استفاده شده است. در ابتدا به مطالعه
مدل فیزیکی و تحلیل رفتار ایستان و دینامیکی لیزر با فیدبک گسترده شیبدار دوپایدار
چکیده ندارد.
مدلسازی الکترو-حرارتی ماژولهای الکترونیک قدرت چند-چیپی igbtو شبیه سازی آن در spice
چکیده ندارد.
بررسی خواص سطحی و نواحی مغناطیسی آلیاژهای مغناطیسی نرم آمورف و نانوبلور (فاینمت) با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی و میکروسکوپ نیروی مغناطیسی
چکیده ندارد.
ساخت دستگاه لانگمویر-بلاجت برای تولید نانوساختارهای دوبعدی و بررسی کارآیی آن
چکیده ندارد.
آنالیز و طراحی یک قطعه سوییچ نوری مبتنی بر کریستالهای فوتونی
چکیده ندارد.
سنسور جابجایی نوری با دقت بالا مبتنی بر کریستالهای فتونیکی
چکیده ندارد.
خواص اپتیکی نانو آنتن های پلاسمونیکی حلقوی شکاف دار و هلالی شکل
چکیده ندارد.
مدل سازی و شبیه سازی موجبرهای کریستال فوتونی غیرخطی
در این پایان نامه به بررسی نمودار نوار ساختارهای کامل کریستال فوتونی غیرخطی و نیز روابط پاشندگی موجبرهای عادی و موجبرهای مبتنی بر کاواک های جفت شده کریستال فوتونی غیرخطی می پردازیم. اثر غیرخطی در نظر گرفته شده برای این ساختارها اثر کِر یا ضریب شکست غیرخطی وابسته به شدت است و برای
مدل سازی و شبیه سازی انتشار نور کند در موجبرهای بلور های فوتونی
در این رساله رفتار پالس های نوری در ناحیه نور کند در موجبرهای بلور های فوتونی شبیه سازی خواهد شد. مدیریت پاشندگی در ناحیه نور کند در بلور فوتونی با ایجاد نقص در بلور، توسط سیال نوری صورت گرفته است. سپس نشان داده می شود که با استفاده از این تکنیک، می توان بافرهای نوری طراحی کرد که
تحلیل و طراحی آشکارساز نوری بهمنی (apd) به روش مونت کارلو
در این رساله، برای محاسبه بهره و ضریب نویز اضافی افزاره آشکارساز نوری بهمنی مدلی ارائه کرده ایم که تابع توزیع طول یونیزاسیون برخوردی در ناحیه تکثیر همگون و ناهمگون را با دو بخش خطی و نمایی تقریب می زند. بر اساس این مدل، چگونگی توزیع طول یونیزاسیون برخوردی به ازای مقدارهای مختلف ش
طراحی و شبیه سازی مبدل طول موج و فیلتر تمام نوری مبتنی بر آثار غیرخطی در بستر نانو موجبر سیلیکونی
برای نخستین بار در این پایان نامه یک مدل عددی برای بررسی میزان گرمای القاء شده توسط جذب خطی و غیرخطی هنگامی که سیگنال نوری با توان زیاد داخل نانو موجبر سیلیکونی منتشر می شود، پیشنهاد داده ایم. با استفاده از این مدل به بررسی میزان جابجائی طول موج خروجی مبدل طول موج تمام نوری پرداخ
تحلیل انتقال الکترون در ترانزیستور meesfet با روش مونت کارلو
در این رساله انتقال الکترون در ترانزیستور مسفست (mesfet) با استفاده از روش مونت کارلو تحلیل شده است . به دلیل مشابهت ساختار دیود n+-i-n+ از جنس gaas با ساختار ترانزیستور مسفت ، در ابتدا این دیود شبیه سازی شده است . اثرات تغییر ولتاژ آند، دما و طول کانال در مشخصه های انتقال این دی
مدلسازی ، طراحی و آنالیز قطعه چند منظوره مجتمع نوری
ادوات مجتمع اپتوالکترونیک (optoelectronic integrated device)oeid از عناصر بسیار مهم در تکنولوژی مدارات مجتمع نوری بشمار می روند. یک قطعهoeid از مجتمع سازی ادوات اپتیکی و الکترونیکی ساخته می شود بطوریکه این ادوات بدون هیچ واسطه ای با یکدیگر در ارتباط هستند. در این ادوات در