حمید نقش آرا
Theses
کالیبراسیون انرژی سنتیلاتور پلاستیک برای الکترونها و اشعه ? با استفاده از پراکندگی کامپتون فوتونهای ?
در این پژوهش روشی برای کالیبراسیون انرژی سوسوزن پلاستیک(at1315) با استفاده از الکترونهای پراکندگی کامپتون ارائه شدهاست. علت انتخاب فوتونهای ? برای این منظور این است که باریکه های الکترونی تک انرژی در محـدوده mev3– 5/0 وجودندارند و الکترونهای تبدیل داخلی که تک انرژی میباشند نیز با
کالیبراسیون انرژی سنتیلاتور پلاستیک برای الکترونها و اشعه بتا با استفاده از پراکندگی کامپتون فوتونهای گاما
در این پژوهش روشی برای کالیبراسیون انرژی سوسوزن پلاستیک(at1315) با استفاده از الکترون های پراکندگی کامپتون ارائه شده است. علت انتخاب فوتون های ? برای این منظور این است که باریکه های الکترونی تک انرژی در محـدوده mev3– 5/0 وجودندارند و الکترون های تبدیل داخلی که تک انرژی می باشند ن
تعیین آهنگ دز جذب شده در هوا ناشی از 238u، 232th و 40k موجود در نمونه های گرانیت
در سالهای اخیر به منظور تعیین میزان آسیب های ناشی از تشعشعات رادیوایزوتوپ های طبیعی موجود در محیط زندگی بشر اندازه گیری غلظت عناصر رادیواکتیو نمونه های طبیعی بسیار ضروری به نظر می رسد. نیمه عمر واپاشی رادیوایزوتوپ-های 238u ، 232th و 40k طولانی و قابل مقایسه با عمرزمین (تقریبا 109
بررسی ویژگیهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار(altin) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه (rf وdc) با تغییر شرایط نهشت
نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، د
تهیه لایه های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید (aln) با روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی ویژگی های الکتریکی آن ها با تغییر شرایط نهشت
آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثاب
بررسی ویژگی های ساختاری لایه های نازک نانوساختار (aln) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی(dc) با تغییر شرایط نهشت
لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن سا
تأثیر تکانه زاویه ای بر شکل گیری کهکشانهای اولیه در حضور ماده تاریک
چکیده ندارد.
بررسی تحول و شکل گیری کهکشانهای اولیه با استفاده از مدل موند
چکیده ندارد.
اثر تابش پرتو گاما روی تغییر امپدانس الکتریکی چند نوع خازن (غیر سرامیکی) در دزها و فرکانس های مختلف
چکیده ندارد.
دزیمتری تابش های هسته ای با استفاده از ترانزیستور mosfet
چکیده ندارد.
اثر نوفه حرارتی در کوانتوم gateهای کامپیوترهای کوانتمی
پیشرفت سریع محاسبات کوانتومی در سالهای اخیر میدان پژوهشی گسترده ای فراروی فیزیکدانان و علاقمندان علوم کامپیوتر قرار داده است . در این پایان نامه ، اثر نوفه حرارتی بر گیت های کوانتومی و دینامیک حالت های ناجایگزیده بررسی می شود. در تله یون میدان های الکتریکی و مغناطیسی باعث می شوند
مخابرات کوانتومی دو طرفه
دراین پایان نامه ، علم مخابرات کوانتومی را مورد بررسی قرار می دهد . تعریف ها و کمیتهای مورد نیاز را تعریف کرده و خواص آنها را بررسی می کند. با اینکه بعضی از تعریف های اولیه در تشابه با علم مخابرات کلاسیکی صورت گرفته است ولی دراینجا با مسائلی سرو کار خواهیم داشت که ماهیتی کاملا کو