بررسی ویژگیهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار(altin) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه (rf وdc) با تغییر شرایط نهشت
Abstract
نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، در حالیکه tin یک رسانای خوب است در نتیجه افزایش میزان aln در ترکیب باعث افزایش گاف انرژی ترکیب شده، که این امر باعث افزایش مقاومت الکتریکی لایه می شود و دوم اینکه با افزایش فلوی نیتروژن، اندازه دانه فیلم ها کاهش می یابد. همچنین نتایج بدست آمده نشان می دهد که با افزایش دمای زیرلایه، مقاومت الکتریکی لایه ها کاهش می یابد که این موضوع ناشی از بهبود کیفیت کریستالی فیلم ها، در دماهای بالا است. تغییر توان تخلیه الکتریکی نیز بر روی ویژگی های الکتریکی لایه ها تأثیر می گذارد. با توجه به اینکه در این پژوهش هدف آلومینیومی، به کاتد با جریان ac و هدف تیتانیومی به کاتد با جریان dc متصل می شوند، با افزایش توان تخلیه ac میزان کندوپاش اتمهای آلومینیوم افزایش یافته و باعث افزایش میزان aln در ترکیب لایه می شود و به همین ترتیب افزایش توان dc باعث افزایش کندوپاش اتم های ti می شود و در نتیجه میزان tin در ترکیب فیلم ها افزایش یافته و با توجه به اینکه tinماده ای با گاف انرژی کوچک است افزایش آن در ترکیب لایه، باعث کاهش مقاومت الکتریکی می شود.