مجتبی پرهیزکار
Theses
بررسی برخی خواص ساختاری ، اپتیکی والکتریکی فیلم های نازک اکسیدروی تهیه شده به روش سل-ژل
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n- با محدوده گاف انرژی پهن ev4/3-2/3 می باشد. چون اکسید روی دارای فاصله بین ترازی پهن درمحدود? مرئی است، بعنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی? واریستورها، دستگاه های موج اکوستیکی سطح(saw) ،
تهیه لایه های نازک tin به روش کندوپاش مگنوترونی واکنشی و بررسی خواص الکتریکی و ساختاری آنها
مفید بودن خصوصیات لایه های نازک باعث شده است که چه از نظر علمی و چه از نظر تکنولوژی به لایه های نازک توجه ویژه ای مبذول شود. تهیه لایه های نازک مستلزم استفاده از مقدار کمی ماده می باشد که این به نوبه ی خود صرفه جویی در هزینه و مقدار ماده است . در سال های اخیر مطالعه روی لایه های
تهیه فیلم های نازک tialn به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی خواص الکتریکی و ساختاری آنها
چکیده: کاربرد لایه های نازک نه تنها در اتصال قطعات منفرد به یکدیگر بلکه همچنین در تهیه خود قطعات اعم از فعال و نافعال، امکانات جدید میکروریزه شدن را فراهم آورده است. این امر از آنجا ناشی می شود که یکی از ابعاد (از دیدگاه ماکروسکوپی) تقریباً صفر است، و ضخامت عنصر تنها با ضخامت زیر
تهیه و بررسی برخی خواص الکتریکی فیلمهای نازک نیترید مس در دماهای مختلف
- اندازه گیری اثر هال نشان داد که ضریب هال مستقل از دما نبوده و با تغییر چگالی حامل ها که به علت تغییرات دما می باشد تغییر می کند. تغییرات در از 4/0 تا 6/0 سانتیمتر مکعب بر کولن بود و در دماهای پایین به یک مقدار ثابت میل کرد. این مقدار ثابت حدود 2/1 سانتیمتر مکعب بر کولن است. این
بررسی برخی خواص الکتریکی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل- ژل
چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرا
بررسی برخی خواص نوری، الکتریکی و ساختاری لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم تهیه شده به روش بمباران الکترونی
دی اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم عضوی از گروه مواد اکسیدی رسانای شفاف است. لایه های نازک دی اکسید قلع در صورت آلایش با آلومینیوم جزو نیمرساناهای تبهگن بوده و انتظار می رود خواص فیزیکی جالبی از خود نشان دهند. از آنجا که این لایه ها دارای ویژگی های منحصر بفردی از قبیل شفافیت در نا
بررسی خواص الکتروفیزیکی واریستورهای ترکیبی تهیّه شده براساس گالیم آرسنید و پلیمر (پلی آنیلین)
ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عم
مطالعه ساختار و اندازه گیری پارامترهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار سلنیدقلع (snse) تهیه شده به روش حمام شیمیایی در دمای اتاق
از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حام
تهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین
سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کی
تهیه لایه های نازک سلنید قلع(snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی خواص ساختاری و نوری آنها در دمای اتاق
چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیای
بررسی ویژگیهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار(altin) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه (rf وdc) با تغییر شرایط نهشت
نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، د
بررسی ویژگیهای الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای سیلیسیم و پلیمر
یکی از بهترین روش¬ها برای محافظت از مدارها و قطعات الکترونیکی در برابر جریان¬های گذرا و فوق ولتاژها، استفاده از مقاومت¬های تابع ولتاژ یا واریستورها است. در اینجا هدف پروژه ساخت واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای سیلیسیم است. ساخت واریستورهای کامپوزیتی، به روش پرس گرم و با استفاده از
بررسی رفتار غیرخطی فیلم های کامپوزیتی تهیه شده بر اساس اکسیدروی و پلی پیرول
امروزه، به طور گسترده برای محافظت مدارهای الکترونیکی، میکرو الکترونیکی و تجهیزات الکتریکی از مقاومت¬های غیر¬خطی بر پایه مواد کامپوزیتی استفاده می¬شود. نیم¬رساناهای کامپوزیتی خواص و کاربردهای گسترده¬ای از خود نشان می¬دهند. در بین تحقیقات گسترده صورت گرفته روی نیم¬رساناهای کامپوزیت
تهیه لایه های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید (aln) با روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی ویژگی های الکتریکی آن ها با تغییر شرایط نهشت
آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثاب
بررسی ویژگی های ساختاری لایه های نازک نانوساختار (aln) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی(dc) با تغییر شرایط نهشت
لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن سا
بررسی تاثیر دما و فشار سنتز بر رفتار الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی تهیه شده بر مبنای اکسید روی-پلی پیرول
یکی از بهترین روش ها برای محافظت از مدارها و قطعات الکترونیکی در برابر جریان های گذرا و فوق ولتاژها، استفاده از مقاومت های تابع ولتاژ یا واریستورها است. در اینجا هدف پروژه ساخت واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای اکسیدروی است. ساخت واریستورهای کامپوزیتی، به روش پرس گرم و با استفاده از
تغییر شرایط دمایی آماده سازی اولیه اکسید روی و تأثیر آن بر رفتار الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی تهیه شده بر مبنای اکسید روی – پلی پیرول
واریستورهای اکسید روی به طور گسترده ای برای محافظت مدارهای الکترونیکی، تجهیزات پزشکی و لوازم الکتریکی در مقابل افزایش غیر طبیعی موج ولتاژ استفاده می شوند. تا زمانی که ولتاژ اعمالی به اندازه کافی از «ولتاژ شکست» واریستور کوچک باشد، واریستور به صورت یک قطعه نارسانا در مدار عمل می-ک
بررسی مکانیسم های پراکندگی در تک بلورهای insb نوع p در محدوده دمایی 350-100 درجه کلوین
چکیده ندارد.
بررسی برخی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک (ito) تهیه شده به روش بمباران الکترونی
لایههای نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگیهای منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنه