تأثیر ساختار بس لایه بر ساختار و فوتولومینسانس لایه‌های نازک اکسید ژرمانیوم
نویسندگان
چکیده مقاله:
Amorphous GeOx/SiO2 multilayers (1<x<2) were prepared by successive evaporation of GeO2 and SiO2 powders onto the Si substrates maintained at 100°C. Structural study by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared-absorption (FTIR) spectrometry, and transmission electron microscopy (TEM) was carried out. These techniques allowed us to follow the structural evolution, and phase decomposition due to annealing in the GeOx thin films and the multilayers annealed up to 900°C, and appearance of amorphous and crystallized germanium aggregates. For Ta≥ 400°C, the photoluminescence band around 1eV attributed to confinement effect in amorphous germanium aggregates was observed. Comparison of the luminescence in multilayer and GeOx thin film showed that in multilayer, although the control of the nanocrystals size isn't complete, the SiO2 barriers tend to enhance the intensity and reduce FWHM of the luminescence bands. This means that the confinement effect in the germanium aggregates in GeOx matrix is enhanced in multilayer system.
منابع مشابه
تأثیر ساختار بس لایه بر ساختار و فوتولومینسانس لایه های نازک اکسید ژرمانیوم
بس لایه های آمورف (1x
متن کاملتأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم
در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...
متن کاملمقایسه ساختار و مورفولوژی لایه‌های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش‌های الکتروانباشت و الکترولس
در این تحقیق لایه‌های نازک مس بر زیرلایه‌ی نیم‌رسانای گالیوم‌آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه‌های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA 5 تاmA30 و لایه‌های الکترولس شده در دماهای مختلف oC 25، oC77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه‌ها به کمک دستگاه‌های XR...
متن کاملتأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم
در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...
متن کاملتأثیر فشار اکسیژن بر ساختار، هدایت الکتریکی و نفوذپذیری اکسیژن لایه های نازک Ba0/5Sr0/5Co0/8Fe0/2O3-δ ساخته شده با لایه نشانی لیزر پالسی
In this paper, Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ (BSCF) thin films were deposited on single crystal SrTiO3 (STO) (100) by pulsed laser deposition (PLD) technique at different pressures of oxygen. Crystal structure of bulk and thin film samples was studied by x-ray diffraction (XRD). The XRD results indicate that both bulk and thin film samples have cubic structures. AFM micrographs showed an increase i...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 10 شماره 4
صفحات 369- 369
تاریخ انتشار 2011-03
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023