طراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. در این مدار با استفاده از تکنیک‌های خازن دیژنراسیون و شبکه تطبیق مداری طراحی شده است که دارای پهنای باند GHz 20 و بهره امپدانس انتقالی dBΩ 60 و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، pA/sqrtHz 12 در باند فرکانسی تقویتکننده است. همچنین عملکرد مدار، شامل بهره امپدانس انتقالی و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، پس از طراحی جانمایی، با شبیه‌سازی همراه با نظر گرفتن اثر خازن‌های پارازیتی تأیید شد.
منابع مشابه
طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملتقویتکننده الکترونیکی مقاومت انتقالی برای شبکه‌های مخابرات نوری با ساختار جدید مبتنی بر پسخور فعال ولتاژ جریان
در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویتکننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد میشود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل میشود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...
متن کاملطراحی و شبیه سازی تقویت کننده گسترده با پهنای باند مناسب ، بهره بالا و نویز کم
در این پایان نامه به بررسی و تحلیل ریاضی و شبیه سازی تاثیر جریان انعکاسی در عملکرد بهره ونویز در تقویت کننده های گسترده پرداخته می شود . این کار با استفاده از ایده ی پارامتر های خط انتقال ، ثابت انتشار و فرکانس انجام می گیرد که روشی ، برای بهبود بهره در تقویت کننده های گسترده ارائه شده است . بر اساس این طرح در این پایانامه از طریق جریان برگشتی وارد شده و تاثیر این پارامتر را مشاهده خواهید کرد ....
طراحی تقویت کننده کم نویز با پهنای باند بسیار عریض
در فوریه 2002 میلادی برای اولین بار توسط کمیسیون مرکزی مخابرات، باند فرکانسی3.1-10.6ghz به مخابرات uwb اختصاص داده شد. از آن پس دنیای سیستم های با پهنای باند بسیار عریض، به سرعت وارد تغییر و تحول شد. ویژگیهای جذاب این سیستم ها از جمله نرخ انتقال بسیار بالا و ظرفیت کانال بالا به دلیل پهنای باند فوق العاده زیاد، برای طراحان جالب توجه بود و از آن پس روزبروز به گسترش این استاندارد و طراحی سیستم های...
طراحی اسیلاتور موج میلی متری باند وسیع کم نویز cmos
در این پایان نامه نشان خواهیم داد که گین فعال اسیلاتور در فرکانس های موج میلی متری به ازای هر مقدار جریان، برحسب سایز ترانزیستورها و گین فیدبک اسیلاتور، بر خلاف فرکانس های پایین تر نقطه ی کمینه دارد. از طرف دیگر نشان می دهیم که ماهیت نویز ایجاد کننده نویز فاز اسیلاتور موج میلی متری، با ماهیت نویز در فرکانس های پایین تر متفاوت می باشد. این نویز بیشتر ناشی از تبدیل نویز am به pm و نویز گیت اسیلات...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 46 شماره 2
صفحات 15- 23
تاریخ انتشار 2016-07-22
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023