احسان معصومیان

[ 1 ] - بررسی ذخیره سازی هیدروژن بر روی نانولوله ی سیلیکون کربید تحت میدان الکتریکی خارجی با روش محاسباتی DFT

با استفاده از محاسبات تابع چگال جذب هیدروژن بر روی نانولوله سیلیکون کربید تحت میدان های الکتریکی در گستره های 0 تا 0/015 a.u. و 0 تا a.u. 0/025 به ترتیب در عرض و طول نانولوله بررسی شده است. هنگامی که هیدروژن در راستای میدان الکتریکی قرار می گیرد در هر دو جهت مثبت و منفی با افزایش میدان الکتریکی انرژی جذب افزایش می یابد. انرژی جذب در راستای عرضی و جهت مثبت هنگامی که میدان a.u 0/015 اعمال می شود ...