حسین حسن بوذری

. گروه فیزیک، دانشکده‌ی علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال، صندوق پستی: 1651153311، تهران ـ ایران

[ 1 ] - پیش‌یابی و بررسی خواص الکتریکی و نوری نانو‌ساختار شبه گرافن ژرمانیم دی سولفید (2GeS) به روش نظریه‌ی تابعی چگالی

در این مقاله با استفاده از روش نظریه­ی تابعی چگالی و بسته نرم­افزار (کد) محاسباتی وین2کِی، نانو­ساختار دو­ بعدی جدید ژرمانیم دی سولفید (GeS2)  پیش­یابی شده است. با محاسبه­ی انرژی همدوسی و پاشندگی فونونی با استفاده از نرم­افزار کوانتوم اسپرسو، پایداری ترمودینامیکی و دینامیکی نانوساختار 2GeS تأیید شد. نتیجه­های روش شبیه­سازی نشان داد که تک لایه­ی ژرمانیم دی سولفید یک نیم­رسان...

نویسندگان همکار