نتایج جستجو برای: ژل سیلیکون

تعداد نتایج: 6596  

تنش­های غیرزیستی مختلف در گیاهان منجر به تولید بیش از حد گونه­های اکسیژن فعال (ROS) و باعث آسیب به پروتئین­ها، چربی­ها، کربوهیدرات­ها و DNA می­شود. برای مقابله با تنش­ اکسیداتیو در گیاهان دفاع آنتی­اکسیدانی مانند کاتالاز و آسکوربیت پراکسیداز برای محافظت از گیاهان فعالیت می­کند. سیلیکون دومین عنصر رایج موجود در خاک است که دارای اثرات مفیدی در افزایش تحمل به تنش خشکی در گیاهان می­باشد. بدین منظور...

براتی, سارا, غریبی, داریوش, نجف زاده ورزی, حسین ,

سابقه و هدف: با توجه به مقاومت باکتری ها در برابر آنتی بیوتیک های رایج و نیاز به داروهای جدید، استفاده از فراورده های دارویی که بوسیله نانوتکنولوژی تهیه شدند، می تواند در پیشگیری و درمان عفونت های باکتریایی موثر باشد. در مطالعه حاضر حساسیت استافیلوکوک و سالمونلا به نانواکسید منیزیم و نانو اکسید سیلیکون در شرایط برون تنی ارزیابی گردید. روش ‌بررسی: بدین منظور در محیط مولرهینتون براث باکتری های ا...

سیدعلی معتضدی محمدحسین نوید فامیلی مهرداد کوکبی

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
زهرا نوربخش z nourbakhsh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان مارک لاسک m lusk colorado school of minesدانشگاه صنعتی اصفهان سیدجواد هاشمی فر s j hashemifar isfahan university of technologyکلرادو اسکول آو ماینز هادی اکبرزاده h akbarzadeh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

ساناز راثی مرتضی مرادی نیما نادری,

در این تحقیق، لایه­های اکسید­­گرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح ­شده هامر[2]، سنتز گردید. لایه­نازک اکسید­گرافن به روش لایه­نشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید­گرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایه­نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه­های اکسید­گرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه­ توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایه­نشانی شده در دمای ºC4...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1389

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی شیمی 1394

اروژل های نووالاک با روش پلیمرشدن سُل-ژل در محیط اشباع از بخار حلال و با استفاده از روش خشک کردن محیطی تولید شدند. بعد از انتخاب بهترین اروژل های تولیدی با توجه به معیارهای چگالی، هدایت حرارتی، نفوذ حرارتی و انعطاف پذیری، این اروژل ها در ساخت نانوکامپوزیت های اروژل-کُرک استفاده شدند. برای ساخت این محصول، از رزین سیلیکون استفاده شد که پلیمری با خاصیت مقاومت حرارتی است و بین ذرات کُرک و اروژل چسبندگ...

زهرا سالاری‌فر فرود عباسی سورکی, محمد ایمانی,

در این پژوهش، اثر مقدار پخت بر خواص رئولوژیکی و تورم نوعی لاستیک سیلیکون آمیزه‌سازی شده با عامل پخت بیس­(۲،۴-­دی­ کلرو­بنزوئیل­)­ پراکسید بررسی شده است. بدین منظور، ابتدا مقدار عامل شبکه‌ای‌کننده، دما و زمان پخت بهینه معین شد. سپس با کنترل زمان، درصدهای متفاوت پخت شامل ۰، نقطه ژل، ۵، ۱۵، ۳۰ ، ۶۰ و %۱۰۰ معین و نمونه‌های مدنظر تهیه شدند. برای تعیین زمان مورد نیاز برای دستیابی به درصد معینی از پخت...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2001
رمضانعلی مهدوی نژاد امیر عبدالله

کاربید سیلیسیم از جمله مواد سرامیکی است که در صنایع مدرن به سرعت جایگزین مواد فلزی میشودلذا ماشینکاری آن ضرورت بیشتری پیدا کرده است. و مقاومت سایشی بالای این ماده باعث شده که از میان روشهای مختلف ماشینکاری سنتی، تنها روش سنگ زنی آن هم به وسیله چرخهای سمباده مخصوص گرانقیمت و با وجود محدودیت در انتخاب پارامترهای ماشینکاری (انتخاب شکلهای ساده قطعه کار و سرعت براده برداری پایین) میسر باشد.در میان ر...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید