ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

انگل های جنس سارکوسیستیس از معمول ترین تک یاخته های نشخوارکنندگان اهلی می باشد. برخی از گونه های سارکوسیستیس می توانند با ایجاد بیماری های کلینیکی یا تحت کلینیکی باعث ضررهای اقتصادی زیادی شوند. s.hominis یکی از سه گونه سارکوسیستیس است که باعث تشکیل کیست در عضلات گاو می شود و می تواند انسان را نیز آلوده نماید. میزان شیوع سارکوسیست در عضلات گاو در سراسر دنیا و ایران بسیار بالا است ولی مطالعه ای د...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این پژوهش، به بررسی خواص ساختاری و الکترونی نانولوله ی کربنی تک دیواره ی زیگزاگ (10,0)عاملدار شده با گروه های عاملی هیدروکسیل (oh)، آمین (nh2)، تیول (sh)، آمید (conh2)، کربوکسیل (cooh) و آسیل کلرید (cocl) با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعی با بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو پرداخته شده است. سپس پیکربندی های مختلف برای جذب مولکول بنزن بر روی نانولوله کربنی عامل دار شده کربوکسی...

در این تحقیق، یک مدل سه جسمی برای بررسی کانال تهییج در برخورد پروتون با هلیوم به کار برده می شود. در این مدل یکی از الکترون های هلیوم غیرفعال فرض شده که اثر آن با تعریف ضریب پوشانندگی و بار مؤثر برای الکترون فعال منظور می شود. تابع موج حالت پایه 11s و حالت های برانگیخته حالت های 21s و 21p الکترون فعال هلیوم از ترکیب توابع موج هیدروژنی با بار مؤثر تقریب زده شده است. در محاسبات کانال تهییج تک الک...

زمینه و هدف: امروزه از پرتوهای الکترونی برای درمان ضایعات سطحی به­طور گسترده­ای استفاده می­شود. از آنجایی که دستگاه­های شتاب­دهنده، پرتوهای الکترونی با انرژی­های محدود ایجاد می­کنند، ناحیۀ درمانی با توزیع دز مطلوب به عمق­های مشخصی محدود می­شود. لذا در این مطالعه با ترکیب پرتوهای الکترونی با انرژی­ها و سهم­های متفاوت، برای درمان ضایعات سطحی کم­عمق (تا حدود cm 3)، منحنی­ PDD با ت...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...