نتایج جستجو برای: دیود تونل زنی تشدیدی

تعداد نتایج: 9820  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1391

در این پایانامه اثر هارتمن ( زمان تونل زنی ذرات از سدی که انرژی آن بیشتر از انرژی ذرات است با ضخامت سد افزایش می یابد و در سدهای به اندازه ی کافی ضخیم مستقل از ضخامت سد می شود)و پارادوکس ها و نتایج قابل نوجه آن از جمله سرعت های فوق نوری ذکر می شود و با استفاده از کمیت جدید مطرح شده توسط وینفول بیان میشود که تفسیرهای اولیه ی به کار رفته برای توضیح این اثر برای پایه ی بحث تغییرشکل مجدد کاملا اشتب...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
حافظ نوحی hafez noohi islamic azad university ,saveh , iranساوه- دانشگاه آزاد ساوه- گروه برق اصغر طاهری asghar taheri iran-zanjanزنجان-دانشگاه زنجان- دانشکده فنی - گروه برق محمدرضا آذرکردار mohammad reza azarkerdar islamic azad university, zanjan, iran.زنجان- دانشگاه آزاد واحد علوم و تحقیقات- گروه برق

در سیستم های امروزی استفاده از مبدل های کلیدزنی رو به افزایش می باشد.یکی از این مبدل ها، مبدل های تشدیدی بوده که به علت راندمان بالاتر نسبت به سایر مبدل ها بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از مبدل تشدیدی موازی (prc) استفاده شده است. در مدارات تشدیدی به علت تغییرات شرایط محیطی، احتمال تغییر در مقادیر پارامترهای تانک تشدید وجود دارد. این تغییرات می تواند مربوط به تغییرات مقادیر امپدان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فرومغناطیسی که توسط لایه ی نازک عایق از هم جدا شده اند، تشکیل شده است. به دلیل مشاهده ی مقادیر زیاد tmr برای سد بلوری mgo...

In this paper, modulation bandwidth characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot (QD) laser were theoretically investigated. Simulation was done by using the fourth order Runge-Kutta method. Effect of carrier relaxation life time, temperature and current density on characteristics of tunneling injection QD laser (TIL) and conventional QD laser (CL) were analyzed. Results showed that tunneling inj...

ژورنال: :مهندسی تونل و فضاهای زیرزمینی 2014
حسن بخشنده امنیه محمد صابر زمزم سید احسان موسوی صادق طریق ازلی

امروزه از تونلسازی سپری در مقیاس گسترده برای حفر تونل های شهری در خاک های نرم و کم عمق استفاده می شود. تونل زنی با epb نیازمند بهسازی خاک است و قابلیت اجرای آن برای خاک های فاقد چسبندگی نیز  افزایش یافته است. انتخاب مناسب ترین مجموعه ی بهسازی نیاز به بررسی های دقیقی دارد تا بتوان مشخصات خاک بهسازی شده را تعیین و داده های قابل اندازه گیری را مشخص نمود. انتخاب استراتژی مناسب برای بهسازی خاک در حی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم انسانی 1389

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده عمران 1393

نیاز به احداث شبکه حمل و نقل عمومی، حفظ محیط زیست و هزینه زیاد تامین زمین در مناطق شهری، تقاضا برای استفاده از تونل برای حمل ونقل را افزایش داده است. احداث تونل در مناطق شهری به سادگی فضاهای غیر مسکونی نیست. احداث تونل های سطحی، در نواحی متراکم و پرازدحام شهری با موانع و مشکلاتی روبرو می شود که یکی از آن ها مسئله نشست است. تونل های مترو عموما در عمق 20 متری و در محیط های آبرفتی حفر می شوند که و...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید