در این پژوهش، ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب های ptmnsb و ptcosbبا استفاده از روش های محاسباتی مورد مطالعه قرار گرفته اند. این ترکیب های سه تایی از خانواده ی نیم هاسلرها هستند. از مهم ترین ویژگی های چنین ترکیب هایی نیم فلز بودن آن هاست، که باعث شده است این ترکیب ها در صنعت اسپینترونیک بسیار پرکاربرد باشند. محاسبه های این پژوهش بر مبنای نظریه ی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود ...

رفتار میدان الکترومغناطیسی در یک محیط، توسط معادلات ماکسول و شرایط مرزی تعیین می شود. بنابراین با ایجاد شرایط مرزی مناسب می توان رفتار میدان را کنترل نمود. پرکاربردترین شرط مرزی، شرط رسانای الکتریکی کامل (pec) است که در فرکانس های مایکروویو، می توان از رساناهای خوب برای ایجاد آن استفاده کرد. شرط مرزی مفید دیگر، شرط رسانای مغناطیسی کامل (pmc) است. هر چند رسانای مغناطیسی وجود ندارد ولی رسانای مغن...

امروزه مواد نیمرسانای مغناطیسی رقیق بعلت قابلیت کاربرد گسترده آنها در صنعت اسپینترونیک مورد توجه محققین قرار گرفته است و مطالعات تجربی و تئوری زیادی روی این مواد در حال انجام می باشد. در اسپینـترونیک علاوه بر خـواص بار الکـتریکی از خاصیـت اسپیـنی حاملها نیز استفاده می گردد. به دلیل توجه به این ویژگیها، آلایش گروهی از مواد نیمرساناها نظیر ترکیبات گروه iii-iv و ii-vi با اتمهای مغناطیسی مورد توجه ...

نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...

امروزه جهان غرق در گونه های کمتر شناخته شده ای از پیام ها و سیگنال هایی است که ما آدمیان را به هم پیوند می دهد. از این رو آدمی همواره در تیررس میدان های الکتریکی، مغناطیسی و الکترومغناطیسی قرار دارد. برای بررسی اثرات میدان های مغناطیسی بر بقای سلول، یاخته های بنیادی مزانشیمی مغز استخوان، در حضور و نبود نیم گری از پرتو ایکس، در معرض میدان مغناطیسی ایستای ۱۵ میلی تسلایی قرار گرفتند. هنگامی که سلو...

به طورکلی با اِّعمال فیلتر ادامه فراسو، پاسخ مغناطیسی مشاهده شده از توده های عمیق تر ناشی می شود. در نتیجه با اِعمال فیلتر ادامه فراسو در مرز بین دو لایه شیب دار با خواص مغناطیسی متفاوت، به سادگی می توان دید که مکان قرارگیری بی هنجاری مغناطیسی ناشی از مرز بین دو لایه روی نیم رخ های مغناطیسی با افزایش ارتفاع به طور جانبی جابه جا می شوند که این جابه جایی در جهت شیب بین دو لایه صورت می گیرد. با ترکیب...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

چکیده ندارد.

پلیمرهای رسانای حاوی مواد مغناطیسی با داشتن دو ویژگی الکتریکی و مغناطیسی به دلیل پتانسیل کاربردشان در ابزارهای الکتریکی و مغناطیسی توجه زیادی را به خود جلب کرده اند و تاکنون تعداد زیادی از این نوع نانوکامپوزیت ها از انواع پلیمرهای رسانا (پلی آنیلین، پلی پیرول و...) و مواد مغناطیسی (fe3o4 ، fe2o3 و...) تهیه شده اند. همچنین در سال های اخیر تهیه هیبریدی از نانوکامپوزیت های مذکور با فلزات نجیب (نقر...

در این مقاله، خواص ساختاری و مغناطیسی حالتهای یونی fe آلائیده شده در ساختار روتایل (rutile) tio2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی محاسبه گردیده است. به منظور مطالعه حالت باری اتم آهن و نقش آن در خواص مغناطیسی، پیکربندی-های گوناگونی از اتم آهن با حضور و عدم حضور تهی جایی اتم اکسیژن در شبکه بلوری tio2 در نظر گرفته شده، و تاثیر تهی جایی اتم اکسیژن بر روی ساختار الکترونی هر پیکربندی مورد بررسی قرار ...