نتایج جستجو برای: گاف انرژی اپتیکی

تعداد نتایج: 34818  

ژورنال: :علوم 0
حسن ربانی hassan rabani assistant professor in shahrekord universityهیات علمی دانشگاه شهرکرد آزاده مظلوم شهرکی azadeh mazloom shahraki msc student in shahrekord universityدانشجوی ارشد دانشگاه شهرکرد

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد - دانشکده شیمی 1392

این مطالعه به منظور تعیین هدایت الکتریکی، ثابت های نوری و گاف نوار نوری فیلم های نازک نانوکامپوزیت pmma/ag که در آن نانوذرات با دو روش آبی و آلی تهیه شده و دو ریخت شناسی کروی و چندوجهی را دارند، انجام شده است. رفتاری که مواد مختلف در مقابل پرتوهای نور مرئی از خود نشان می دهند به عنوان خواص نوری مواد شناخته می شود. به طور کلی خواص اپتیکی هر ماده، با ثابت های اپتیکی آن ماده یعنی ثابت دی الکتریک م...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
منیره مسجدی دانشگاه صنعتی اصفهان زهره محمدی دانشگاه صنعتی اصفهان مجتبی اعلایی دانشگاه صنعتی اصفهان اسماعیل عبدالحسینی سارسری دانشگاه صنعتی اصفهان توماس نیهاس دانشگاه رگنزبورگ

در سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه، مولکول رنگدانه نقش جذب نور را بر عهده دارد که نقشی کلیدی در عملکرد این سلول خورشیدی است. یکی از ویژگی هایی که بر طیف اپتیکی رنگدانه ها اثر می گذارد، اندازه ی نانو مولکول ها است. در این مقاله طیف اپتیکی نانو مولکول های خانواده ی کومارین با اندازه های مختلف با استفاده از دو روش تابعی چگالی تنگابست وابسته به زمان و نظریه ی تابعی چگالی وابسته به زمان محاسبه می ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1393

هدف این پایان نامه، مطالعه ی خواص ساختارالکترونی مولکول سیلیکن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک در حالت قطبیده و غیرقطبیده است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابع چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی مولکول سیلیکنsilicene در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاس...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
سمیرا ولی محمدی مرتضی ایزدی فرد محمد ابراهیم قاضی بهرام بهرامیان

ابتدا لایه های نازک اکسید کادمیوم روی cdzno به ضخامت متوسط 155 نانومتر بر روی زیر لایه های شیشه ای با روش سل-ژل چرخشی رشد داده شدند. سپس لایه های آماده شده در دماهای 500 و 450 درجه سانتیگراد بازپخت شدند. خواص اپتیکی و ساختاری این نمونه ها با استفاده از نتایج حاصل از اندازه گیری های طیف عبور و بازتاب و پراش پرتوایکس و همچنین تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شدند. نتایج این مطالعه نشان داد ک...

ثابت داریانی, رضا, نعمتی , علی,

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1393

در این تحقیق بررسی از ویژگی های ساختاری، الکترونی و اپتیکی نانو ورقه های دو بعدی گرافین مانند اکسیدروی آلاییده شده با اتم ناخالصی بور با استفاده از بسته محاسباتی پتانسیل کامل fhi-aimsدر چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام شده است. اکسیدروی یک کاندید اصلی برای کاربرد در دستگاه های اپتیکی مانند سلول های خورشیدی و دستگاه های لیزر حالت جامد و ... است. بنابراین آگاهی درباره خواص اپتیکی آن، در طراحی و آنا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1390

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حجت اله باده یان h a badehian physics group, science faculty, fasa university, fasa, fars, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه فسا، فسا حمداله صالحی h salehi physics group, science faculty, shahid cahmran university, ahvaz, iran. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز منصور فربد m farbod physics group, science faculty, shahid cahmran university, ahvaz, iran. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز

در کار حاضر خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب bsb در حالت انبوهه و سطح (110) مورد مطالعه قرارگرفته شده است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از نرم افزار wien2k در تقریب های مختلف انجام شده است. خواص ساختاری این ترکیب در حالت انبوهه از جمله ثابت شبکه، مدول حجمی و ثابت های کشسان با استفاده از چهار تقریب مختلف مورد بررسی ...

پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2  و Ta2O5  می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید