انتشار باریکه ضعیف کاوشگر در سیستم های لایه ای دی الکتریک شامل اتم های ناخالصی مورد بررسی قرار می گیرد. کنترل همدوس خواص پاشندگی و جذب اتم های ناخالصی، ضریب دی-الکتریک موثر سیستم لایه ای را متأثر می سازد. از این طریق امکان کنترل فعال و تمام نوری عبور، بازتاب، جذب و نیز سرعت انتشار نور کاوشگر در داخل ساختار لایه ای فراهم شده است. از دو نوع از اتم های سه ترازی یعنی -شکل و آبشاری جهت آلایش لایه ها...

در دهه های اخیر نیاز بشر به دستیابی سرعت ها و ظرفیت های بالاتر باعث گردیده است که محققان توجه خود را به ابزارهایی بسیار کوچکتر و سریع تر از قطعات الکترونیکی رایج معطوف نمایند. این امر موجب شده است که مطالعات گسترده ای در ابعاد نانو، بر روی بلورهای فوتونیک انجام گیرد. این گونه از بلورهای فوتونیکی به دلیل خواص منحصر به فرد و پتانسیل بالا در اپتوالکترونیک، جهت کاربرد در مخابرات، فناوری اطلاعات، عل...

نمونه بلورهای 2BaCl و Eu:2BaCl از پودرهای 2BaCl و 2EuCl با خلوص به ترتیب برابر با 99.995%  و 99.99%  درصد در بوته­های گرافیتی و در اتمسفر خشک رشد داده شدند. نتایج تجزیه­ی پرتو ایکس به وسیله­ی دستگاه پراش پرتو ایکس (XRD)، خلوص فاز و تشکیل فاز اورتورومبیک در بلور را تأیید کرد. مقدار ناخالصی با استفاده از دستگاه پلاسمای جفت شده­ی القایی (ICP) تعیین گردید...

امروزه با توجه به نیاز روزافزون صنعت مخابرات جهت افزایش سرعت پردازش و انتقال اطلاعات، نیاز به افزاره های فرکانس بالا کاملا مشهود می باشد. بنابراین المان های فوتونیکی می توانند برای این مهم مد نظر قرار بگیرند. بلورهای فوتونی گزینه مناسبی برای این کار می باشند. یکی از خصوصیات بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی pbg))در آنها می باشد. با طراحی موجبر از طریق ایجاد نقص خطی در ساختار بلور فوتونی دو بع...

ضمن مقایسه بیناب سنج های مختلف گاما و ایکس، مزیت بیناب سنج با بلور خمیده و دستگاههای خودکار ضمیمه برای چرخش بلور،تعیین زاویه چرخش بلور واندازه گیری شمارش در واحد زمان مختصرا ذکر شد. منحنی کالیبراسیون برای تعیین موقعیت زاویه ای بلور بیناب سنج بدست آورده شد و با استفاده از آن برای تعیین مناسبترین وضع منحنی های تغییرات پهنا و شدت خط برای پهنای مختلف شکاف رسم شد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.