هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک FePt نسبت به دمای بازپخت است. لایه‌های نازک FePt به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان W 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر Torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mTorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه‌ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک ب...

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک tio2 و zro2 بر روی زیر لایه bk7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  uv-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر afm از لایه های نازک tio2و zro2 تهیه شده است. اندازه گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا tis و روش afm انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

اکسید روی (zno) نانو ساختار، قابلیت های بالایی برای کاربردهای نوری، فتوالکتروشیمایی و فتوکاتالیستی، زیستی و ضد میکروبی دارد. هر چند این خواص می تواند بسته به شکل و اندازه ذرات متفاوت باشند. بمنظور بهبود رفتار اکسید روی، روش های متنوعی ارائه شده است که بصورت خلاصه می توان به آلائیدن این مواد با فلزات، کامپوزیت کردن و اصلاح سطحی آنها اشاره کرد. در حقیقت این فرایند تحت عنوان مهندسی گاف انرژی شناخت...

وابستگی خواص الکتریکی و مکانیکی لایه های نازک نیترید تیتانیوم انباشت شده بر روی زیرلایه های سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی dc، به شار گاز آرگون بررسی شد. ساختار بلوری و ریخت شناسی لایه ها به ترتیب به وسیله پراش پرتو-x (xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. خواص مکانیکی و الکتریکی لایه ها نیز بوسیله آزمون سختی سنجی (nano-indentation) و دستگاه جستجوگر چهار نقطه ای (four point probe)، تحقیق ...

در این مقاله دو حسگر هیدروژنی با ساختار خازن فلز- اکسید- نیمرسانا Pd/SiO2/Si و Ni/SiO2/Si ساخته شده‌اند. میزان جذب و واجدب گاز هیدروژن در نانوذرات پالادیم در فشارهای مختلف گزارش شده است. منحنی‌های ظرفیت-ولتاژ برای حسگر Pd/SiO2/Si در دمای اتاق و حسگر Ni/SiO2/Si در دمای °C 140 در حضور نیتروژن خالص و 1% هیدروژن-نیتروژن بررسی شده‌اند. نتایج نشان می‌دهند ک...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از ma 5 تاma30 و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oc 25، oc77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های xrd و sem مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم ...

در این پایان نامه ابتدا لایه های نازک اکسید سریم (ceo2) خالص و آلایش یافته با کلسیم به روش سل- ژل چرخشی و غوطه وری تهیه شدند. سپس تأثیر روش انباشت، فرآیند خشک سازی، نوع زیرلایه، عملیات بازپخت و آلایش کلسیم بر روی خواص ساختاری و اپتیکی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت.برای مشخصه یابی ساختاری نمونه ها از اندازه گیری طیف پراش پرتو ایکس (xrd) و تصاویر fesem از سطح نمونه ها و برای بررسی خواص اپتیکی از ...