دو رویکرد متداول برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی، روش های مبتنی بر معادلات موازنه و مونت کارلو هستند. در روش مونت کارلو، تابع توزیع بولتزمن محاسبه می شود و سپس از روی آن کمیت های فیزیکی بدست می آیند. اما در روش های مبتنی بر معادلات موازنه، تابع توزیع محاسبه نمی شود، بلکه مستقیماً کمیت های فیزیکی مورد نیاز بدست می آیند. از آنجائیکه روش مونت کارلو به شدت نویز پذیر است و به زمان پردازش زیادی نیاز دا...

با توجه به کاربرد بسیار وسیع قطعات الکترونیکی در تحقیقات فضایی و وجود پرتوهای کیهانی با شدت بسیار زیاد در خارج از جو، یافتن مواد جایگزین سیلیکون و مواد مشابه دیگر با مواد مقاوم در برابر اشعه، نیاز روز تکنولوژی الکترونیک فضایی است. مواد با پایه کربنی، به خاطر ویژگی های الکتریکی جالبی که دارند، و با توجه به پتانسیل بالای آن ها در کاربردهای الکترونیک فضایی مورد توجه تحقیقات علمی قرار گرفته اند. لذ...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...

درمسیر بررسی امکان ایجاد صنعت نیمه هادی در ایران بامطالعه دقیق وضعیت علمی و آموزش کشور بر مبنای آمارهای موجود مشخص می گرددکه آنچه بایستی بعنوان پایه های اصلی و نگاهدارنده صنایع بویژه صنعت بسیار ظریف و دقیق و درعین حال پیچیده نیمه هادی در سطح مملکت وجود داشته باشد همان علم و دانش و توجه به امربسیار حیاتی آموزش در تمامی سطوح است که بطرز قابل ملاحظه ای سست و لرزان است . لذا ایجاد صنعت حساس و استرا...

موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر ج...

افزایش روز افزون تقاضا برای ایجاد ظرفیت بیشتر در شبکه های ارتباطی موجب علاقه مندی بیشتر پژوهشگران ‏برای استفاده از ادوات نوری در سرعت های بسیار بالا برای پردازش نوری گشته است و این امر جز با استفاده از ‏ادوات بسیار سریع و تماماً نوری امکان پذیر نمی باشد. از طرفی دیگر استفاده از موجهای تراهرتز علاوه بر مزیت ‏های منحصر بفردی که در مخابرات نوری، کاربردهای حسگری و تصویربرداری و همچنین اپتوالکترونیک ...

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...