نتایج جستجو برای: نانوسیم سیلیکون

تعداد نتایج: 1185  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1388

کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1388

در این پایان نامه، ابتدا ساخت نانوسیم های آلیاژی آهن-کبالت به روش الکتروانباشت با استفاده از قالب های آلومینای آندی را خواهیم داشت. قالب آلومینای آندی به روش آندایز نمودن ورقه ی آلومینیوم ساخته می شود. در مرحله بعد، با استفاده از قالب های آلومینای آندی ساخته شده، نانوسیم های آلیاژی آهن-کبالت ساخته می شوند. نانوسیم ها با استفاده از روش الکتروانباشت شیمیایی با جریان متناوب ساخته می شوند. بررسی خو...

با توسعه ریزفناوری میکروماشین­کاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کرده­اند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی­الکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت­های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت­های بیشتر از 10% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با...

حسین حیدری شریف آباد حمید مدنی, حمیدرضا مبصر قربان نورمحمدی مهرداد قاسمی لمراسکی

 اینتحقیق در سال‌ زراعی 1392-1391 به صورت مزرعه ای در منطقه ساری به صورت کرت هایدوبار خرد شده در قالب طرح پایه بلوک‌های کامل تصادفی با سه تکرار انجام شد.تیمارها شامل دو رقم برنج طارم هاشمی و طارم محلی به عنوان عامل اصلی، نیتروژن درسه سطح کودی کاربرد 35، 70 کیلوگرم در هکتار و نیتروکسین به عنوان عامل فرعی ومحلول­پاشی با آب، نانو سیلیکون، نانو کلات پتاسیم و محلول نانو سیلیکون + نانوکلات پتاسیم به ...

ژورنال: شیمی آلی و پلیمر 2015

تنش­های غیرزیستی مختلف در گیاهان منجر به تولید بیش از حد گونه­های اکسیژن فعال (ROS) و باعث آسیب به پروتئین­ها، چربی­ها، کربوهیدرات­ها و DNA می­شود. برای مقابله با تنش­ اکسیداتیو در گیاهان دفاع آنتی­اکسیدانی مانند کاتالاز و آسکوربیت پراکسیداز برای محافظت از گیاهان فعالیت می­کند. سیلیکون دومین عنصر رایج موجود در خاک است که دارای اثرات مفیدی در افزایش تحمل به تنش خشکی در گیاهان می­باشد. بدین منظور...

تنش شوری بازدهی محصولات کشاورزی مانند ذرت به عنوان یکی از غلات مهم را کاهش می‌دهد. با توجه به این که سیلیکون دومین عنصر فراوان در خاک است و موجب کاهش تنش‌های زیستی و غیر زیستی در گیاهان می‌شود، هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر سیلیکون و نانوسیلیکون به عنوان بهبود دهنده تنش شوری در گیاه ذرت (Zea mays) است. بدین منظور، بر هم کنش اثر غلظت‌های مختلف شوری (0 و 100 میلی‌مولار)، سیلیکون و نانوسیلیکون (50،...

تنش­های غیرزیستی مختلف در گیاهان منجر به تولید بیش از حد گونه­های اکسیژن فعال (ROS) و باعث آسیب به پروتئین­ها، چربی­ها، کربوهیدرات­ها و DNA می­شود. برای مقابله با تنش­ اکسیداتیو در گیاهان دفاع آنتی­اکسیدانی مانند کاتالاز و آسکوربیت پراکسیداز برای محافظت از گیاهان فعالیت می­کند. سیلیکون دومین عنصر رایج موجود در خاک است که دارای اثرات مفیدی در افزایش تحمل به تنش خشکی در گیاهان می­باشد. بدین منظور...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1389

در این پایان نامه روشی نسبتاً آسان، جدید، کم هزینه و عدم نیاز به وسایل پیچیده برای رشد نانوساختارهای zno ارائه شده است. در این پروژه تمامی لایه های نازک zn به روش pvd بر روی لام معمولی لایه نشانی شده اند و در بازه دمایی پایین ?c)600-400( درون کوره لوله ای بدون کاتالیست، تحت شار اکسیژن اکسیدشده اند و نانوساختارهای zno از روی دانه های منفرد zn رشد کرده اند. تصاویر sem بدست آمده از نمونه ها، رشد نا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1389

با توجه به اهمیت و کاربردهای ویژه نانوسیم های آلیاژی مغناطیس-غیرمغناطیس در افزایش ذخیره ی اطلاعات حافظه های مغناطیسی عمودی و هم چنین در پدیده gmr، اقدام به ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی cozn در قالب حفره دار آلومینا کردیم. در این روش، ابتدا نانوحفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر، با روش آندایز دومرحله ای ساخته شدند. سپس نانوسیم های cozn به روش الک...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید