ویژگی ها نوری و الکتریکی و بسیاری از ویژگی ها دیگر نانوذرات نیم رسانا به طور شدید به اندازه آن ها وابسته است. در این میان کادمیم سلنید در ردیف مهمترین نانوبلور های نیم رسانا است که با ویژگی های جالبی همراه است. در این پژوهش روش جالب توجهی برای تهیه نقاط کوانتومی متشکل از CdSe با توزیع اندازه یکنواخت گزارش شده است. در روش های قدیمی تر از ترکیب تری اکتیل فسفین اکسید (TOPO) به عنوان پایدار کننده ا...

در پژوهش حاضر، چسب کامپوزیتی رسانای الکتریسیته با استفاده از رزین اپوکسی به عنوان ماتریس پلیمری و ذرات پودر مس پوشش یافته با فلز نقره به‌عنوان پرکننده تهیه شد. سپس، روی چسب کامپوزیتی تهیه شده آزمون‌های مختلف نظیر میکروسکوپی الکترونی پویشی (SEM)، طیف‌سنجی پلاسمای جفت‌شده القایی (ICP)، تجزیه گرماوزن‌سنجی و اندازه‌گیری مقدار مقاومت ویژه الکتریکی و مقدار استحکام برشی انجام شد. تصاویر SEM از سطح شکس...

دی اکسید تیتانیوم (tio2) نیمه رسانایی است که به علت داشتن خواص فیزیکی جالب، مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. جفت الکترون – حفره ی تولید شده در دی اکسید تیتانیوم عامل اصلی فعالیت فوتوکاتالیستی این نیمه رسانا محسوب می شود. افزایش طول عمر جفت الکترون– حفره ، بازدهی فوتوکاتالیستی آن را بالا می برد. یکی از راهکارهای موثر برای این عمل، اضافه کردن نانو ذرات فلزی مانند au ، ag ، pd و pt می با...

دراین پروژه معادلات سه گانه نیمه رسانا یعنی معادله پواسون، معادله پیوستگی جریان الکترونها و حفره ها) به صورت جفت شده با روش تفاوت متناهی و به کمک آمار فرمی دیراک با درنظرگرفتن تبهگنی حل شده است. این روش امکان حل معادلات را برای مقادیر بالای بایاس فراهم می سازد. از میان مدلهای مختلفی که برای پارامترهای فیزیکی ارائه شده ، مدلی که با تجربه توافق بیشتری دارد برای این شبیه سازی انتخاب شده است.این شب...

دی اکسید تیتانیوم (tio2 ) نیمه رسانایی است که به علت داشتن خواص فیزیکی جالب، مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. جفت الکترون – حفره ی تولید شده در دی اکسید تیتانیوم عامل اصلی فعالیت فوتوکاتالیستی این نیمه رسانا محسوب می شود. افزایش طول عمر جفت الکترون– حفره ، بازدهی فوتوکاتالیستی آن را بالا می برد. یکی از راهکارهای موثر برای این عمل، اضافه کردن نانو ذرات فلزی مانند au ، ag ، pd ، pt می ب...

اسپینترونیک یا الکترونیک بر پایه ی اسپین، شامل، مطالعه، کنترل و دستکاری درجات آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. در این پایان نامه، روی اصول فیزیکی اسپینترونیک که دربرگیرنده ی تولید قطبش اسپینی حامل ها، دینامیک اسپینی و انتقال اسپین قطبیده در نیمه رساناها و فلزات می باشد، بحث شده است، همچنین اثرات مختلف تزریق اسپین و خصوصیات مواد را بررسی کرده و نتایج آن را برای سیستم های چندلایه ای به کار...