نتایج جستجو برای: گاف انرژی

تعداد نتایج: 33659  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1392

امروزه مطالعات بسیاری در زمینه نیمه¬هادی¬ها و اثر جانشانی آن¬ها در خواص اپتیکی و الکتریکی آن¬ها مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. ما در این پایان¬نامه خواص اپتیکی نیمه¬هادی zno و zno جانشانی شده با sn، تهیه شده به صورت لایه نازک، را هدف کار خود قرار داده و خواص اپتیکی لایه¬ها به وسیله دستگاه طیف سنج بیضی¬نگاری به دست آورده شده است. در قسمت تجربی این پایان¬نامه با استفاده از روش سل ژل، نانو¬لا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1392

در این با استفاده از نظریه تابعی چگالی، ویژگی های ساختاری و الکترونی صفحه نیترید بور که هیدروژن دار ( فلوئوردار) شده را بررسی کردیم. محاسبات انرژی کل و ساختار باند الکترونی با کمک اصول اولیه و روش امواج تخت بهبودیافته خطی در مدل پتانسیل کامل و کد wien2k انجام شد. از تقریب شیب تعمیم یافته (gga)، برای بسط جمله پتانسیل تبادلی همبستگی استفاده شده است. ساختار بهینه شده نشان داد که پیوندهای bh,nh...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ملایر - دانشکده علوم 1393

در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است. در این پایان نامه، لایه های نازک سلنید قلع با روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd تهیه شدند و با ضخامت های مختلف در دماهای متفاوت بر روی زیرلایه شیشه ای قرار گرفته اند. پارامترهای ساختاری مختلف مانند اندازه ی دانه ها (d)، خواص نوری، ساختاری و گاف انرژی نانو ذرات سلنید قلع بر اساس تغییرات زمان و دمای محلول رسوب گیر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

گرافین یک نیمه رسانا با گاف انرژی صفر است. با وجود اینکه خاصیت ابررسانایی ذاتاً در گرافین وجود ندارد اما می¬توان این خاصیت را با استفاده از اثر مجاورت در آن القا کرد. طبق نتایج بیناکر در رسانندگی اتصالات با پایه گرافین در کنار پدیده¬ی انعکاس معمول آندریف، انعکاس آینه ای آندریف هم اتفاق می¬افتد که باعث تغییرات قابل توجهی در نمودارهای رسانندگی می¬شود. نوع جفت شدگی که توسط ابررسانای بکار رفته در اث...

ژورنال: :نشریه شیمی و مهندسی شیمی ایران 2014
سجاد احمدپور عبدالعلی عالمی شاهین خادمی نیا

در این کار پژوهشی، بلورهایکادمیم اکسید خالص و ناخالص شده باعناصر لانتانیدی گادولینیوم و لونتنیوم به روش سل ـ ژل در دمای°c 900 تهیه شد. ساختار، اندازه و ریخت شناسی ذره ­های تهیه شده با روش­های الگو بنیاب sem ، xrd ، ft-ir مورد بررسی قرار گرفت. همچنین اندازه ­های شبکه بلوری کادمیم اکسید با استفاده از نرم افزار celref version 3 تعیین شد. ویژگی ­های نوری نمونه های تهیه شده ناخالص شده با عناصر لانتا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - پژوهشکده علوم 1389

دراین تحقیق بر برخی از جنبه های عمومی نانوتکنولوژی از قبیل منبع پیدایش و رویکرد نانو تکنولوژی ، نانو مواد و نیز برخی کاربردهای نانومواد که با سرعت بسیار زیادی در حال گسترش و افزایش است پرداخته شده است. پس از آن به بررسی دقیق نانوتیوبهای کربنی که بیشتر مورد توجه دنیای فیزیک است پرداخته ایم که از بررسی زنجیره های کربنی که در واقع ساختار یک بعدی دارند شروع کرده ایم و پس از آن به بررسی جزیی تر گراف...

ژورنال: :شیمی و مهندسی شیمی ایران 0
سجاد احمدپور تبریز، دانشگاه تبریز، دانشکده شیمی، گروه شیمی معدنی عبدالعلی عالمی تبریز، دانشگاه تبریز، دانشکده شیمی، گروه شیمی معدنی شاهین خادمی نیا تبریز، دانشگاه تبریز، دانشکده شیمی، گروه شیمی معدنی

در این کار پژوهشی، بلورهایکادمیم اکسید خالص و ناخالص شده باعناصر لانتانیدی گادولینیوم و لونتنیوم به روش سل ـ ژل در دمای°c 900 تهیه شد. ساختار، اندازه و ریخت شناسی ذره های تهیه شده با روش های الگو بنیاب sem ، xrd ، ft-ir مورد بررسی قرار گرفت. همچنین اندازه های شبکه بلوری کادمیم اکسید با استفاده از نرم افزار celref version 3 تعیین شد. ویژگی های نوری نمونه های تهیه شده ناخالص شده با عناصر لانتانید...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه 1389

در این پژوهش خواص الکترونی و اپتیکی بلورهای bitio3 در فاز مکعبی و تتراگونال و bi0.5na0.5tio3 (bnt) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. به طور کلی محاسبات حاضر نشان می دهد که، با تغییر فاز بلور bitio3 از مکعبی به تتراگونال گاف انرژی افزایش می یابد. از طرفی افزودن ناخالصی گاف انرژی را کاهش داده است. نتایج اپتیکی نشان داد که نوسانات پلاسمونی در انرژی های بالا، برای بلور bitio3 در فاز مکعبی، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1382

نیمرسانای ‏‎inas‎‏ از نیمرساناهای ترکیبی گروه ‏‎iii-v‎‏ است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز ‏‎insb‎‏) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیوند بین اتمهای این ترکیب از نوع یونی و کووالانسی است و از ‏‎sb‎‏ بعنوان ناخالصی دهنده در آن استفاده شده تا ترکیب مورد ن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید