فهم و شناخت سازوکار جفت شدگی الکترون ها در ابررساناهای جدید، از مسائل بنیادین در زمینه ابررسانایی است. سازوکار جفت شدگی الکترون ها، با پارامتر نظم و در واقع با ساختار گاف یک ابررسانا رابطه مستقیم دارد. ابررساناهای متعارف موج s، دارای ساختار گاف متقارن در اطراف سطح فرمی هستند. حضور این ساختار پارامتر نظم متقارن، موجب می شود که بسیاری از خواص فیزیکی ماده در دماهای پایین، رفتار نمایی نسبت به دما ن...

نیم رساناهای ترکیب گروه ii-vi به دلیل ویژگی های فیزیکی بدیع و کابردهای فراوان در ابزار اپتوالکترونی، مورد توجه بسیار قرار گرفته اند. سلناید روی (znse)یکی از این ترکیب ها است که ساختار مکعبی بلِند روی و نوار گاف مستقیم در حدود ev 76/2 در دمای اتاق دارد. سلناید روی قابلیّت کاربرد در دیودهای نور افشان، ترانزیستورهای لایه ی نازک، آشکارسازهای نوری فرابنفش و آبی، و نیز قطعات نوری لیزرهای توان بالا را د...

در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بورون‌نیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بورون­نیترید با چینش AB بررسی کرده‌ایم. بررسی ما نشان می­دهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترل‌پذیر می‌شود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافین­دولایه، رابطۀ پاشندگی ا...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...

در یک محیط غیرخطی متناوب از نوع کر، موازنه ی پاشندگی سرعت گروه و اثرات غیرخطی می تواند به تولید "سالیتون گاف" منجر شود. فیبر توری براگ ازجمله ی این محیط هاست. متناوب بودن ضریب شکست در یک فیبر توری براگ سبب جفت شدگی موج های عبوری پیش رو و موج های بازتابیده ی پس رو می گردد، چگونگی انتشار در این محیط متناوب توسط معادلات جفت شده توصیف می شود. این معادلات ذاتاً غیر قابل حل هستند اما روش های غیرمستقیم...

سولفید سرب (pbs) از نیمه هادیهایی ترکیبی خانواده iv-vi با گاف انرژی 0.42ev از سال 1930 تا به حال به خاطر خواص ویژه اش مورد توجه محققان مختلف بوده است . pbs کاربردهای گوناگونی دارد ولی عمده کاربرد آن در ساخت آشکارسازهای نوری ir می باشد. در این کار لایه های نازک pbs با روش (chemical bath deposition) cbd روی زیرلایه های شیشه ای انباشت شدند. لایه هایی که ضخامت آنها در محدوده 0.03-0.12mm می باشد غیر...

چکیده در این کار تحقیقاتی نانو ذرات سلنایدروی به روش گرمایی مایکروویو تهیه شدند. خواص ساختاری نانو ذرات از قبیل پارامتر شبکه، تنش، کرنش، فاصله بین صفحات شبکه بلور، جهت گیری ترجیحی، چگالی پرتو ایکس با استفاده از اطلاعات پراش پرتو ایکس بررسی شد. ضمناً با استفاده از فرمول شرر اندازه نانو ذرات محاسبه شد. که اندازه نانو ذرات سلنایدروی 39 نانومتر محاسبه شدند. ریخت شناسی این ذرات نیز با استفاده از می...