تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی مایکرویو یکی از مهم¬ترین مسائل در طراحی مدارهای راداری و فرستنده¬های مخابراتی است. قطعات اکتیو مورد استفاده در این مدارها باید توانایی تولید سطوح بالایی از توان rf را در دماهای بالا داشته باشند. لذا هر ساله مطالعات بسیاری در راستای طراحی و مدل¬سازی قطعات توان صورت می¬گیرد. موادی از قبیل gan، gaas، الماس ، یاقوت کبود و sic موارد پیشهادی برای ساخت قطعات توان هستد. ا...

چکیده ندارد.

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

فیزیک کلاستر ها با شکل های متفاوت آن شامل کلاستر های رسوبی و محاط شده و آزاد مجموعه ی قابل توجهی از مسائل بنیادی را پوشش می دهد. از طرفی می توان به ویژگی خاص کلاستر ها و کاربرد آنها اشاره کرد.هدف این تحقیق در واقع بررسی ساختار و خواص الکترونیکی کلاستر گالیم با لستفاده از تئوری تابعی چگالی است.ما توانسته ایم با استفاده از تقریب بورن- اپنهایمر و توسط روش پایه ای دینامیک مولکولی به انجام کارهای مح...

در بخش اول این تحقیق، نانوذرات اکسید آهن(?-fe2o3np) از طریق هم رسوبی یون های fe+2 و fe+3 در حضور آمونیوم هیدروکسید تهیه شده و سپس با تترا اتیل اورتو سیلیکات پوشیده و منجر به تشکیل ?-fe2o3@sio2 گردید. در نهایت نانو ذرات fe2o3 پوشیده شده با سیلیکا به وسیله ی آلومنیوم کلرید عامل دار شده (?-fe2o3@sio2?alcl2) که به عنوان کاتالیست هتروژن قابل بازیابی و مناسب در سنتز 1-آمیدو آلکیل-2-نفتول های خالص در ...

در این پایان نامه، با اعمال میدان الکتریکی وابسته به زمان به یک نقطه کوانتومی شامل ناخالصی تغییرات اشغال ترازهای مختلف در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی شده است. سیستم مورد نظر به صورت یک نقطه کوانتومی دو بعدی در نظر گرفته شده است. در این راستا با استفاده از روش بسط تابع موج و با قطری کردن هامیلتونی، تابع موج و انرژی حامل ها محاسبه و با استفاده از سری دایسون احتمال اشغال ترازها بررسی شده است....

در این پروژه لایه های نازک اکسید روی و اکسید روی دوپ شده با آلومینیوم، گالیم و ایندیم بر روی زیر لایه ی شیشه به روش افشانه پایرولیزز انباشته شده اند. ساختار نانو فیلم های سنتز شده توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd) و اندازه و مورفولوژی ذرات توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مورد بررسی قرار گرفتند. که همگی در ساختار هگزاگونال ورتزیت متبلور شدند و الگوی پراش پرتو x ساختار کریستالی نانو ذرات سنتزی ...

منفی بودن شیب منحنی ذوب در دیاگرام فازی از خواص استثنائی است که در آب، ژرمانیوم، سیلیسم، بیسموت و گالیم دیده می شود.این مواد به هنگام تغییرفاز از مایع به جامد، با افزایش حجم روبرو می شوند.این امر سبب گردیده که رفتار گوناگونی به هنگام انجماد از این مواد مشاهده گردد.بر این اساس به نظر می رسد که امکان تولید کار در اثر افزایش حجم از یک سیستم حاوی مواد فوق وجود داشته باشد. مقالات متعددی در زمینه انج...

در این پایان نامه ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی از استوانه های دی الکتریک با سطح مقطع های دایره ای، بیضی و لوزی با استفاده از روش بسط موج تخت مورد مطالعه قرار داده ایم. اولین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی الکتریک از جنس گالیم آرسناید با سطح مقطع دایره ای است که در دو مورد زمینه از جنس هوا و کربن قرار گرفته است. دومین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی...