هنگامی که قطعات الکترونیکی در معرض تابش نوترون قرار می گیرند بر اثر اندرکنش های نوترون در این قطعات، مشخصات الکتریکی آنها مانند ظرفیت خازنی، جریان بایاس معکوس، طول عمر حامل اقلیت و غیره ... تغییر می کنند. این تغییرات بسیار مهم است تا آنجا که ممکن است عملکرد قطعه را مختل کرده و آن را از کار بیندازد. بنابراین اندازه گیری میزان آسیب ناشی از نوترون در این قطعات بسیار ضروری است. یکی از مهم ترین پارا...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیتریدی می توانند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کنند. نیمه هادی های نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آنها، که به علت داشتن باند انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند، در گسیل های نوری، گذار نوری مستقیم دارند که بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات با توان و بهره بالا می باشند. وقتی که قطعات نوری در شرایط نایکسان قرار می گیرند،...

ساختارهای سد دوگانه - چاه کوانتومی به واسطه ویژگی ها و کاربردهای بسیاری که در زمینه های مختلف علم و تکنولوژی دارند، اخیراً توجه زیادی به خود جلب کرده اند. دیودهای تونل زنی تشدیدی یکی از وسایلی هستند که از این ساختارها استفاده می کنند. با توسعه چنین وسایلی مطالعه تئوری و بررسی خصوصیات و ویژگی های این ساختارها امری ضروری به نظر می رسد. همچنین با توجه به محدودیت امکانات آزمایشگاهی و البته محدودیت ا...

در این پژوهش یک مقایسه¬گر جریان مبتنی بر دیود سالیتانی(یک قطعه الکترونیکی ابررسانایی) پیشنهادشده است. مشخصه غیرخطی دیود سالیتانی و وجود یک آستانه¬ی جریان شکست در بایاس معکوس آن، دست¬مایه عمل مقایسه قرار گرفته است. برآورد سرعت بالای مقایسه¬¬کنندگی با شبیه سازی عددیانجام شد؛ در این شبیه سازی طرحی با طولپیوند µm200، عرضپیوند µm 10، چگالی جریان بحرانی جوزفسونی ka/cm2 20 و بتای استوارت مک¬کامبر 50،...

دست¬یابی به ساختارهای تنظیم¬پذیر، به خصوص فیلترها، در بسیاری از سیستم¬های مخابراتی قابل¬حمل از اهداف مهم می¬باشد. طراحی و بررسی این ساختارها، نسبت به سایر ساختارهای مایکروویو، کمتر بررسی شده است. در سالهای اخیر با توجه به گسترش روزافرون استفاده از تلفن همراه و ماهواره نیاز به ترمینال هایی که قادر به پشتیبانی همزمان نسل دوم و سوم تلفن همراه و سیستم های ماهواره ای باشند، افزایش یافته است. در نتیج...

یک فیلتر میکرواستریپی میان گذر دو بانده مبتنی بر سلول های خطوط انتقال راستگرد-چپگرد (crlh) با زیر لایه fr4 ارائه شده است. فرکانس مرکزی و پهنای باند نسبی برای باند اول به ترتیب برابر با 1.26 گیگاهرتز و 0.115 و برای باند دوم به ترتیب برابر با 1.51 گیگاهرتز و 0.12 است. این فیلتر تغییر پذیر است، یعنی در هر زمان، یکی از دو باند مذکور قابل دسترسی است و این انتخاب با روشن یا خاموش بودنِ سه دیود p-n صور...

هدف اصلی در این پروژه ساخت افزاره دیود اثر میدانی در آزمایشگاه نانو الکترونیک دانشگاه تهران بوده است. به همین منظور با استفاده از دستگاه های لازم، از جمله کوره های آلایش بور و فسفر، کوره رشد اکسید ، ابزار مربوط به لایه نشانی پلی سیلیسیم و اتصالات و دستگاه اندازه گیری مشخصه ها، به ساخت و مطلوب سازی عملکرد افزاره پرداختیم. سعی بر این بوده است که نمونه های ساخته شده با متغیر های متفاوت در هر افزار...

در این پروژه رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی سولفید و سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته است.در بخش اول فتوالکتروشیمی نیمه هادی سولفید سرب را در حضور و غیاب مس بررسی می شود.به این منظور مس از محلول سولفات مس اسیدی (ph=1 )بر سطح الکترود سرب تحت یک پتانسیل ثابت ترسیب گردید.سپس سولفید سرب تحت یک پتانسیل ثابت با استفاده از محلول سولفید سدیم قلیایی (ph=13)بر آن ترسیب شد.سپس اثر مس بر رفتار فتوالکتروشی...

فیلم های لایه نازک با ساختار نانو از بروموآلومینیوم فتالوسیانین و سرب فتالوسیانین که به روش تفنگ پرتوی الکترونی به ترتیب روی زیرلایه شیشه ای نشانده شدند، تهیه گردید. قطعه ساندویچی  al/bralpc/pbpc/alتحت خلأ  torr  5-10 در آزمایشگاه ما تهیه شد. رفتار الکتریکی قطعات با پیوند ناهمگن در بازه ی فرکانسی  hz105-  102 و در بازه ی دمای k 403 - 303 مورد بررسی قرار گرفت. تمامی اندازه گیری ها در دماهای مختل...

امروزه استفاده از مبدل¬ها با ولتاژ خروجی پایین و متوسط در تجهیزات قابل حمل، کامپیوترهای با کارایی بالا و سیستم¬های مخابراتی توان بالا در حال افزایش می¬باشد. از این¬رو، بهبود بازده تبدیل و چگالی توان این مبدل¬ها مورد توجه قرار گرفته است. تلفات هدایتی یکسوسازهای متداول در مبدل¬های ولتاژ پایین و متوسط قابل ملاحظه می¬باشد. برای کاهش تلفات هدایتی، یکسوساز همزمان (sr) که یک کلید نیمه¬هادی است، جایگزی...