در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

شایع ترین عامل به وجود آورنده جریان غیر ماندگار، باز و بسته کردن شیر­های قطع و وصل جریان است. این عمل باعث انتشار امواج فشاری در سیستم می­شود. شدت امواج فشاری به عواملی از قبیل نوع شیر، سرعت باز و بسته شدن شیر، هیدرولیک سیستم و خواص الاستیکی لوله­ها بستگی دارد. یکی از مکان­هایی که محاسبه ضربه قوچ در آن دارای اهمیت می­باشد، سیستم انتقال آب نیروگاه­های برقابی است. اگر در زمان بهره­برداری از نیروگ...

طرح vcsoa ها نقاط اشتراک زیادی با طرح soa های fabry – perot در یک صفحه ، vcsel ها و فیلترهای fp دارد. سالهای زیادی است که این دستگاه¬ها مورد مطالعه قرار می¬گیرند]11-13[. تا حال مدل¬های تئوری که ساخته شده¬اند، اساس محکمی را برای ساخت تئوری vcsoa فراهم می¬کنند. طرح-هایی که در این فصل برای vcsoa ها پیشنهاد می¬گردد، تا حدود زیادی به طراحی ارائه شده در ussb برای vcsel های قبلی است. اولین مقاله تئوری...

امروزه آنتنهای تک قطبی به دلیل قابلیت های فراوانی که دارند بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در سالهای اخیر مقالات زیادی در رابطه با طراحی آنتنهای تک قطبیها به چاپ رسیده است و آنتنهایی که در این مقالات طراحی شده اند در کاربرد های متنوعی مورد استفاده قرار گرفته اند .بسیاری از این طراحی ها مربوط می شود به سیستمهایی با فناوری پهن باند، این فناوری به سرعت در حال گسترش است و هر روز به تعداد مقالاتی که...

در این مقاله یک مدل ریاضی برای مبدل رزونانسی مرتبه چهار lclc با فیلتر خازنی در حالت ماندگار ارائه می شود. به دلیل غیرخطی بودن فیلتر خروجی این مبدل، روشهای معمول مدل سازی مبدل های روزنانسی نمی توانند رفتار این مبدل را مدل سازی کنند. در این مقاله یک مدل ریاضی ارائه می شود که می تواند عدم وجود سلف در فیلتر خروجی را اصلاح کند و عملکرد مبدل را برای یک گستره وسیع از تغییرات بار پیش بینی نماید. یک مبد...

در این پایان نامه دو ساختار جدید برای اینورترهای چند سطحی پیشنهاد شده است. در مرجع [23] یک اینورتر سه فاز ارائه شده است که برای کاربرد در درایو ماشین های الکتریکی مناسب است. بر خلاف اینورتر پل h سری شده، این ساختار بر اساس سری کردن سلول های قدرت کار می کند که این سلول های قدرت خود از دو پایه سری تشکیل می شوند. در این پایان نامه به منظور تولید حداکثر تعداد سطوح ولتاژ در خروجی اینورتر ارائه شده د...

درهمتنیدگی و ناهمخوانی کوانتومی دو نوع مهم همبستگی کوانتومی هستند که بیشتر محاسبات کوانتومی بر پایه ی آن ها می باشد. ناهمخوانی کوانتومی مفهومی کلی تر از درهمتنیدگی است چراکه ناهمخوانی برای بعضی حالت های جداپذیر با درهمتنیدگی صفر می تواند وجود داشته باشد. این همبستگی های کوانتومی نقش بسزایی در افزایش سرعت انتقال اطلاعات در سیستم های کوانتومی ایفا می کنند. ما در این پایان نامه گیت های کوانتومی ای...

عملیات های منطقی یکی از موضوعات اساسی در ساختار کامپیوترهای امروزی هستند. امروزه، علاقه زیادی به گسترش روش های جایگزین برای بدست آوردن گیت های منطقی، بوسیله محاسبات آشوبناک وجود دارد. در این پایان نامه، روش اجرای جدیدی برای گیت های منطقی با قابلیت پیکربندی مجدد با استفاده از خانواده ای از نگاشت های آشوبناک یک متغیره ارائه شده است. به دلیل ویژگی منحصر به فرد این خانواده می توان ولتاژ پایه یکسانی...

چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با...