The experimental study of passively Q-switched, LED-pumped Ce:Nd:YAG laser is reported. The active medium is a 3 mm diameter laser rod with 60 mm length; it is optically pumped with four segments of blue LEDs at 460 nm, with each segment consisting of 32 single LEDs. The 14 cm length optical resonator with 2 dielectric mirrors and the reflectivity of 99 and 93 percent at 1064 nm produced more t...

چکیده ندارد.

هدف از انجام این پروژه افزایش میزان نور خروجی oled است.نور تولید شده در لایه ارگانیکی oled به دلیل انعکاسات کلی (tir) بین لایه ارگانیکی و کنتاکت فلزی شفاف (ito) و نیز بین سابستریت شیشه ای و هوا تلف شده و تنها 20% از نور ایجاد شده به خروجی کوپل می شود. روش های زیادی جهت افزایش نور خروجی oled وجود دارد از جمله ایجاد ناهمواری در سطح ito یا استفاده از میکرولنز در سطح شیشه .روش مورد بحث ما از ساختار...

دیود نورگسیل آلی دستاورد فناوری است که در آن از لایه های مختلف ترکیبات آلی استفاده شده است و نور را تحت روندی به نام فسفرسانس گسیل می کند که از مزایایی مانند ضخامت و وزن کمتر و همچنین کاهش انرژی، تولید گرمای کمتر و بازدهی بیشتر برخوردار است. روش های متفاوتی برای لایه نشانی oled وجود دارد که بعضی از آنها عبارتند از: تبخیر خلا، چاپ جوهرافشان، کندوپاش که شامل کندوپاش دیودی، کندوپاش تریودی، و کندو...

خواص ویژه ابرساناها و کاربردهای فراوان ادوات ابررسانایی در زمینه های آشکارسازی و پردازش در فرکانس های بالا دلیلی بر بسیاری از تحقیقات تئوری و عملی انجام گرفته است. همچنان که پیوند p-n پایه ی ساخت ادوات نیمه هادی است، در حوزه ی ابررسانایی نیز پیوند جوزفسون به عنوان خشت زیر بنای الکترونیک ابررسانایی شناخته می شود. اساس عملکرد و مشخصات الکتریکی پیوند جوزفسون و اصولا چنین پیوندهایی وابسته به لایه...

در این پایان نامه، سه نمونه سیلیکان متخلخل (ps) با درصد تخلخل های 15، 29 و 40 با استفاده از روش آندی سازی الکتروشیمیایی به عنوان زیر لایه ساخته شد، سپس با استفاده از آنالیز fesem مورفولوژی سطح نمونه های ساخته شده مورد بررسی قرار داده شد. سپس با استفاده از دو روش پوشش دهی چرخشی و پرتو الکترونی، لایه نازکی از نانوذرات tio2 بر روی ps لایه نشانی شد. نمونه های تهیه شده با استفاده از آنالیز xrd و edx...

این پروژه به معرفی یکی از کاربردی ترین تکنولوژی های نوین مدیریت مصرف انرژی با نام دیودهای آلی متصاعد کننده نور (oled) و کاربرهای آن پرداخته است. در ابتدا نگاهی خواهیم داشت به تاثیر مواد ارگانیکی که با داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب به عنوان گروهی از نیمه هادی ها در ساخت ادوات الکترونیکی به کار می روند و همچنین نانو لوله های کربنی بر روی دیود نوری، سپس نحوه ساخت oled و آرایه ای آن بیان می شو...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در این رساله انتقال الکترون در ترانزیستور مسفست (mesfet) با استفاده از روش مونت کارلو تحلیل شده است . به دلیل مشابهت ساختار دیود n+-i-n+ از جنس gaas با ساختار ترانزیستور مسفت ، در ابتدا این دیود شبیه سازی شده است . اثرات تغییر ولتاژ آند، دما و طول کانال در مشخصه های انتقال این دیود بررسی و نشان داده شده است کاهش طول کانال باعث می شود رفتار انتقال حامل بیشتر بالستیک شود. با قرار دادن کاتد از جنس...

استخراج پارامترهای مدل در شبیه سازی مدارهای الکترونیکی از اهمیت خاصی برخوردار است . در این تحقیق، یک روش استخراج پارامتر مبتنی بر شبکه های عصبی ارائه می شود نرم افزار جدیدی نیز به نام nnpext بر پایه روش معرفی شده، تهیه شده است . نتایج حاصل از این نرم افزار با نتایج حاصل از نرم افزار دیگری به نام tupex که بر پایه الگوریتم مارگاردت نوشته شده است ، مقایسه می شود. در نرم افزار tupex برای بالا بردن ...